USI가 차세대 전력 솔루션을 위한 첨단 전력 반도체 패키징을 발표했다. 다층 ABF 기판에 실리콘 카바이드(SiC) 다이를 성공적으로 내장하고, 업계 표준 전력 패키지 내에 세라믹 기판 절연과 와이어 본드리스 아키텍처를 통합하기 위해 단면 구리 노출(SSC) 모듈 패키징 기술을 도입한 것이 특징이다.
패키지 자체가 내장된 전기 절연을 제공하면서도 낮은 유동 인덕턴스와 최소한의 전도 저항을 달성했다. USI의 칩 임베디드 모듈 패키징 기술은 전도 손실을 획기적으로 줄이고, 열 발생을 줄이며, 기존 패키징 방식에 비해 신뢰도가 향상되었다.
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세라믹 기판을 통합함으로써 패키지 본체는 추가 절연 구조 없이도 신뢰할 수 있는 전기 절연을 제공한다. 와이어-본드리스 아키텍처는 얇은 패키지 내에서 더 큰 칩 통합을 가능하게 하여 전력 밀도를 더욱 높이고 더 컴팩트한 시스템 설계를 지원한다.
낮은 유선 인덕턴스, 최소한의 온저항, 우수한 열 성능의 조합은 에너지 변환 효율과 시스템 신뢰성을 향상시킨다. 자동차 및 산업 부문에서 더 높은 효율과 차세대의 전기화된 플랫폼으로의 전환에 기여할 것으로 보인다.
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