AI 처리의 지속적인 확장은 데이터 센터의 전력 수요를 증가시켰으며 통신 인프라의 발전은 스위치 모드 전원 공급 장치에서 더 높은 효율, 더 작은 크기(더 높은 전력 밀도), 낮은 전자기 간섭(EMI)에 대한 요구를 더욱 강화시키고 있다.
전력 손실은 시스템 전력 소비, 열 발생, 냉각 부하에 직접적인 영향을 미치므로 전도 및 스위칭 손실을 균형 있게 줄이고 EMI 억제, 열 설계, 장착 용이성 향상 등 전체 시스템 최적화에 기여하는 특성을 가진 전력 반도체를 배치하는 것이 중요하다.
이에 따라 Toshiba Electronic Devices & Storage 가 자사의 최신 공정인 U-MOS11-H를 사용해 제작된 80V N채널 전력 MOSFET “TPM1R408RH“를 출시했다. 이 제품은 AI 데이터 센터 및 통신 기지국에서 사용되는 산업용 장비용 스위치 모드 전원 공급 장치와 같은 응용 분야에 적용된다.
TPM1R408RH는 최적화된 소자 구조를 특징으로 하며 드레인-소스 온저항이 최대 1.4mΩ이다. 이는 이전 세대 U-MOS X-H 공정을 사용해 제작된 80V 도시바 제품인 “TPM1R908QM”보다 약 26% 낮은 수치이다.
TPM1R408RH 스위칭 시 드레인과 소스 사이에 발생하는 스파이크 전압을 억제하여 스위치 모드 전원 공급 장치의 EMI를 줄이는 데 도움이 된다. EMI 억제는 설계 후반부에 재작업이 필요한 경우가 많지만, 소자에서 발생하는 스파이크를 억제하면 재작업이 줄고 필터 및 스너버 회로가 단순화된다.
