AI 인프라, 전력화, 산업 자동화 및 에너지 시스템이 더욱 효율적이고 소형화된 전력 아키텍처에 대한 수요를 지속적으로 증가시킴에 따라 설계자는 에너지 소비, 열 관리 및 시스템 크기와 관련된 점점 더 많은 문제에 직면하고 있다.
AI 데이터 센터만 해도 2030년까지 미국 전력 생산량의 최대 9%를 소비할 것으로 예상 되며 전력 및 냉각 비용은 전체 데이터 센터 운영 비용의 최대 40%를 차지할 것으로 보인다.
온세미의 GaNEXUS는 기존 실리콘 기반 솔루션 대비 더 빠른 스위칭 속도, 더 낮은 스위칭 손실, 더 높은 전력 밀도 및 향상된 열 성능을 구현하여 이러한 과제를 해결해준다.
이러한 장점을 통해 고객은 AI 데이터 센터 전력 공급 및 전기 자동차 충전에서부터 로봇 및 산업용 전력 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에서 자기 부품 및 냉각 시스템의 크기를 줄일 수 있게 된다. 이로 인해 전반적인 시스템 효율성과 응답성 향상을 통한 시스템 비용 절감 효과도 가능하다.
40V에서 650V에 이르는 전압 범위의 GaNEXUS FET와 GaNEXUS Smart 650V GaN FET를 포함한 GaNEXUS™ 질화갈륨(GaN) 전력 포트폴리오는 AI 데이터 센터 전력 공급, 48V 시스템, 로봇 및 산업 자동화, 에너지 인프라 등 전력 소모가 많은 애플리케이션에 이상적인 솔루션이다.
초기 포트폴리오에는 40V에서 650V에 이르는 전압 범위의 GaNEXUS FET가 포함된다. 시스템 통합을 간소화하고 신뢰성을 향상시키기 위해 보호 기능이 통합된 650V GaNEXUS Smart GaN FET도 포트폴리오에 포함된다.
