부품 수, 폼 팩터, 시스템 비용을 모두 감소시키는 넥스페리아의 전력 질화 갈륨 (GaN) 솔루션

핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아 (지사장: 김영택)는 오늘 기존의 기술 및 경쟁 회사 제품 대비 훨씬 향상된 성능을 제공하는 자사의 2 세대 650V 전원 질화 갈륨 (GaN) FET 소자 제품군의 대량 공급을 개시한다고 발표했다. RDS(on) 성능을 35mΩ(일반)까지 낮춘 이 전력 질화 갈륨 FET는