TI, 최대 10kW 애플리케이션을 지원 600V GaN FET 포트폴리오 출시

TI의 고전압 GaN FET

고전압 GaN FET로 산업용 및 통신 애플리케이션에서 전력 밀도 두 배 높여 텍사스인스트루먼트(이하, TI)는 최대 10kW 애플리케이션을 지원할 수 있는 즉시 사용 가능한 600V 질화갈륨(GaN), 50mΩ 및 70mΩ 전력단 포트폴리오를 새롭게 출시했다고 밝혔다. 개발자는 LMG341x 제품군을 사용하여 AC/DC 전원 공급 장치, 로봇, 재생