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ST마이크로일렉트로닉스, 프랑스 레티와 전력변환용 GaN-온-실리콘 기술 개발 협력

by 오승모 기자 -

진화된 파워 GaN-on-Si 다이오드 및 트랜지스터 아키텍처 개발 및 상용화 위한 협력 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 프랑스 원자력청(CEA) 산하 전자정보기술연구소 레티(이하 CEA-Leti)와 파워 스위칭 디바이스용 GaN(Gallium Nitride)-on-Silicon 기술의 상용화를 위해 협력한다고 발표했다. 이 파워 GaN-on-Si 기술을 통해 ST는 하이브리드 및 전기 자동차를 위한 온-보드

ST, Leti와 10배 빠른 FD-SOI UWVP DSP 시연

by 오승모 기자 -

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 CEA-Leti와 28nm 초박형 바디 산화막(ultra-thin body buried-oxide, UTBB) FD-SOI 기술 기반 초광대적 전압 범위(ultra-wide-voltage range, UWVR) 디지털 신호 프로세서(DSP)를 성공적으로 시연했다고 밝혔다.   이 칩은 ST가 28nm UTBB 완전공핍형 실리콘-온-인슐레이터(FD-SOI) 프로세스 기술로 제조했으며 0V에서 +2V의 바디 바이어스 전압 스케일링을 허용하고 최소