다양한 전자 애플리케이션과 고객들을 지원하는 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 높은 전류 출력과 45ns의 전파지연을 갖춘 STDRIVEG600 하프-브리지 게이트 드라이버를 출시했다. 이 디바이스는 하이-사이드 및 로우-사이드 간의 출력이 밀접하게 매칭됐으며, GaN 인핸스먼트-모드(Enhancement-Mode) FET의 고주파수 스위칭을 처리할 수 있다. STDRIVEG600은 최대 20V에서 N-채널
