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마이크로칩, 실리콘 IGBT를 대체할 업계 최고의 견고성을 자랑하는 1700V 실리콘 카바이드 전력 솔루션 출시

by 오승모 기자 -

1700V MOSFET 다이, 디스크리트 및 파워 모듈 디바이스를 포함한 실리콘 카바이드 포트폴리오로 개발자를 위한 효율성 및 전력 밀도 옵션 확장 오늘날 상용차의 추진력을 강화하는 에너지 효율적인 전기 충전 시스템과 보조 전원 시스템, 태양열 인버터, 반도체 변압기 및 기타 운송 및 산업용 애플리케이션은 모두

넥스페리아, 웨일스의 뉴포트 팹라인 인수해 자동차용 MOSFET, IGBT, 아날로그 및 복합 반도체 제품 생산 확대

by 오승모 기자 -

핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아가 뉴포트 웨이퍼 팹(Newport Wafer Fab: NWF)을 인수하는 거래를 완료해 글로벌 생산 능력을 높이기 위한 전략을 강화한다. 이번 인수를 통해 넥스페리아는 영국 웨일스에 있는 반도체 생산 시설의 100% 소유권을 확보했다. 넥스페리아 뉴포트는 뉴포트 및 인근 지역의 현재 인력을 승계해

인피니언, 650V CoolSiC™ Hybrid IGBT 디스크리트 제품군 출시

by PEMK 매거진 -

우수한 스위칭 주파수와 낮은 스위칭 손실로 DC-DC 파워 컨버터와 PFC (역률 보상)에 적합 인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 650V CoolSiC™ Hybrid IGBT 디스크리트 제품군을 출시한다고 밝혔다. CoolSiC Hybrid 제품군은 650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT 기술과 유니폴라 구조의 쇼트키 배리어 CoolSiC 다이오드를 결합했다. 우수한 스위칭 주파수와

ACM 리서치, 전력 반도체 업계용 울트라 Fn 퍼니스 장비 출시

by PEMK 매거진 -

새로운 울트라 Fn 퍼니스(Ultra Furnace) 장비, IGBT 제조에 사용되는 합금 어닐링(Alloy anneal) 공정의 성능 향상에 기여 반도체와 첨단 웨이퍼 레벨 패키징(WLP)을 위한 웨이퍼 공정 선도 업체인 ACM 리서치(ACM Research, Inc.)는 자사의 울트라 Fn 퍼니스(Ultra Fn Furnace) 장비가 전력반도체(power device) 칩 제조 공정에서 합금

인피니언, IGBT 모듈 수명을 연장시키는 첨단 H2S 보호 기술 발표

by PEMK 매거진 -

견고성은 열악한 환경에서 사용되는 애플리케이션의 모듈 수명과 신뢰성을 결정한다. 특히 황화수소 (H2S)에 대한 노출은 전자 부품 수명에 중대한 영향을 미친다. 이러한 위협에 대응하기 위해 인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 고유한 보호 기능을 개발했다. TRENCHSTOP™ IGBT4 칩셋을 채택한 EconoPACK™+ 모듈은 인버터를 위해 H2S

인피니언, TRENCHSTOP™ IGBT7 Easy 모듈 출시

by PEMK 매거진 -

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 모듈을 출시한다고 밝혔다. 최신 IGBT7 기술을 채택한 Easy 1B 및 2B 포트폴리오는 PIM (인버터와 정류부로 구성)으로 최대 11kW, 6팩 (인버터단으로만 구성) 토폴로지로 최대 22kW에 이르는 전력 솔루션을 제공한다. 고객들은 IGBT4대신 IGBT7 기술을 적용한 Easy 2B 모듈을

인피니언, CoolSiC 쇼트키 다이오드 1200V G5 제품군 출시

by PEMK 매거진 -

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 전기차 DC 충전 및 산업용 애플리케이션의 효율 향상을 위한 TO247-2 패키지로 제공되는 CoolSiC™ 쇼트키 1200V G5 다이오드를 출시했다고 밝혔다. 기존 실리콘 다이오드를 CoolSiC™ 다이오드로 교체하여 더 높은 효율을 달성할 수 있고, 8.7mm로 늘어난 연면거리와 공간거리는 오염이 심한 환경에서 안전성을 높인다. 최대