비메모리 반도체 전문기업 KEC(대표 황창섭)가 4세대급 IGBT 기술을 적용한 고성능, 고효율의 650V급 IGBT(제품명: KGF40N65KDC)를 출시하고, 해당 제품이 LG전자의 인버터시스템인 광파오븐에 자재코드 승인도 완료되었다고 7일 밝혔다. 국내업체로서는 KEC가 처음이다. 제품은 Narrow Mesa 기술과 특화된 Trench 기술로 전류 구동능력을 대폭 향상시켜 50% 이상 전류
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ST, 엠디메쉬(MDmesh™) DM2 N-채널 전력 MOSFET 트랜지스터 출시
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임피던스 트랙 배터리 게이지를 탑재한 배터리 백업 시스템의 개선된 LiFePO4 셀 밸런싱
더 빠르고 효율적인 배터리 충전을 위한 동적 전원 관리
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낮은 입력전압에서 낮은 출력전압 변환을 최적화하다
마이크로칩, 고성능 디지털 파워 아날로그 컨트롤러 출시
Toshiba Launches 1-Channel High-Side N-Channel Power MOSFET Gate Driver for Automotive Applications
Toshiba Corporation’s (http://goo.gl/UDmjza) Semiconductor & Storage Products Company today announced the launch of “TPD7104F”, a 1-channel high-side N-channel power MOSFET gate driver. The new product is an all-in-one circuit for charge pumps and can be operated at lower voltages compared to Toshiba