글로벌 반도체 메이커인 로옴이 대만의 파워 서플라이 전문회사인 델타 전자와 차세대 반도체 GaN (질화 갈륨) 파워 소자의 개발 및 양산에 관한 전략적 파트너십을 체결했다.
이에 따라 델타가 장기간 축적해온 전원 개발 기술과 로옴의 파워 디바이스 개발 및 제조 기술을 조합하여 폭넓은 전원 시스템에 최적인 600V 내압 GaN 파워 소자를 공동으로 개발하게 되었다.
로옴은 2022년 3월에 업계 최고※인 8V까지 게이트 내압을 높인 「150V 내압 GaN HEMT」의 양산 체제를 확립했다. 기지국, 데이터 센터를 비롯한 산업기기 및 각종 IoT 통신 기기의 전원 회로용으로 「EcoGaN™」의 라인업 확충을 추진함과 동시에 소자 성능의 향상을 위해 노력하고 있다.
로옴의 상무 집행 임원 CSO Kazuhide Ino은 전원 관리 및 열 대책의 글로벌 리더인 델타와 GaN 파워 소자를 중심으로 하는 전략적 파트너십을 체결하게 된 것을 매우 기쁘게 생각한다며 “탈탄소 사회의 실현을 위해 로옴의 주력 상품인 파워 반도체의 역할은 더욱 커지고 있다. 당사는 Si에서 SiC (탄화 규소 / 실리콘 카바이드), GaN에 이르기까지 폭넓은 분야에서 최첨단 소자 개발을 추진하면서 그 성능을 최대화시키는 제어 IC의 개발 등 주변 부품을 조합한 솔루션 제공을 추진해 왔다”고 설명했다.
이번 파트너십을 통해 로옴은 한차원 높은 고효율 전원 시스템 구축에 기여할 수 있는 GaN 파워 소자의 양산을 실현하게 되었다. 또한 로옴의 우수한 아날로그 IC를 내장한 GaN IPM도 조기에 양산해 고객이 사용하기 편리한 제품의 라인업을 확충해 나갈 예정이다.
델타 전자 부회장 Mark Ko는 글로벌 전자 업계에 있어서 GaN 파워 소자의 발전은 매우 큰 관심사라며 “로옴과 수 년에 걸친 기술 교류의 성과를 매우 기쁘게 생각하며, 이를 계기로 양사가 더욱 더 긴밀하게 연계해 나가고자 한다”고 언급했다.
델타는 앞으로 한층 더 라인업을 강화하기 위한 중요한 전력 비즈니스의 하나로서 이번 GaN 협업을 계기로 로옴의 우수한 아날로그 기술 (Nano 기술) 등과의 제품 전개도 기대하고 있다. 로옴과의 협업 체제를 강화해 글로벌 전원 시장 니즈에 폭넓은 솔루션을 제공할 수 있을 것으로 보인다.
탈탄소 사회의 실현을 위해 전 세계 전력 소비량의 대부분을 차지하는 전원이나 모터의 효율 개선은 전 세계적인 사회 과제로서 중요시되고 있다. 그 효율 개선의 열쇠가 되는 것이 파워 소자이며 각종 전원의 한차원 높은 고효율화를 위해, SiC나 GaN과 같은 신재료의 활용이 주목받고 있다.
로옴과 델타는 장기간에 걸쳐 기술 교류를 실시하고 다양한 어플리케이션의 개발에서 협력 관계를 구축해 왔다. 이번 파트너십 체결을 통해 향후 최첨단 GaN 파워 소자를 개발, 양산함과 동시에 GaN 소자 성능을 최대화시킴으로써, 전원 기술의 이노베이션을 가속화하여 지속 가능한 사회의 실현에 기여해 나갈 것이다.
EcoGaN™
EcoGaN™은 GaN이 지닌 낮은 ON 저항과 고속 스위칭 성능을 최대화해 어플리케이션의 저소비전력화와 주변 부품의 소형화, 설계 공수와 부품수 삭감을통해 저전력 · 소형화에 기여하는 로옴의 GaN 소자이다.
