[New] Vishay Intertechnology의 3세대 1200V SiC 쇼트키다이오드

비쉐이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc., NYSE: VSH)가 16개의 새로운 3세대 1200V 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드를 출시했다. 병합된 PIN 쇼트키(MPS) 설계를 특징으로 하는 비쉐이 반도체 소자들은 높은 서지 전류 견고성과 낮은 순방향 전압 강하, 용량성 충전 및 역방향 누설 전류를 결합하여 스위칭 전원 설계의 효율성과 신뢰성을 높여준다..

이번에 출시된 차세대 SiC 다이오드들은 TO-220AC 2L, TO-247AD 2L, TO-247AD 3L 쓰루홀 (through-hole)및 D2PAK 2L(TO-263AB 2L) 표면 실장 패키지의 5A – 40A 소자들이다. 이 제품들은 최저 28nC의 낮은 정전 용량 전하를 제공하며 레이저 어닐링 기술을 통해 후면이 얇아진 MPS 구조는 1.35V의 감소된 순방향 전압 강하를 특징으로 한다.

25 °C에서 작동하는 최저 2.5μA의 낮은 일반 역방향 누설 전류는 전도 손실을 줄여 경부하 및 아이들링 (idling)시 높은 시스템 효율을 보장한다. 이 3세대 소자들은 초고속 다이오드와 달리 복구 테일이 거의 없어 효율성이 더욱 향상되었다.

이 다이오드들은 태양광 발전 인버터, 에너지 저장 시스템, 산업용 드라이브 및 도구, 데이터 센터용 FBPS 및 LLC 컨버터의 AC/DCPFC 및 DC/DC 초고주파 출력 정류 등에 적용된다.

이 제품들은 이러한 응용 분야에서의 혹독한 환경에서 작동하기 위해 175 °C 이상의 작동 온도에서도 260A의 순방향 서지 정격을 유지하는 견고성을 유지한다. 특히 높은 CTI 600의 몰딩 컴파운드를 사용한 D2PAK 2L 패키지는 고전압에서 우수한 전기 절연을 보장한다.

이처럼 높은 신뢰성도를 제공하는 다이오드들은RoHS 규제 사항을 준수하는 무할로겐 소자로서 2,000시간의 고온 역방향 바이어스(HTRB) 테스트와 2,000회의 열 사이클에 대한 온도 사이클링 테스트를 통과했다.

소자 사양표

이 SiC 다이오드는 현재 샘플 및 양산용으로 구매가 가능하며 납기까지는 13주가 소요된다.