“아태 시장용 전력 반도체 동적 신뢰성 검증 연구소를 설립한다”

Paul Yang, 스파이록스 CEO (사진의 오른쪽) 실리콘 칩이 반도체 산업에서 여전히 지배적인 위치를 차지하고 있지만 칩 설계 아키텍처의 기초로 화합물 반도체 같은 와이드 밴드갭(wide-bandgap) 소재를 사용하는 고성능 제품이 점점 늘어나는 추세다. SiC 전력 소자의 자동차 전자 시장은 2026년까지 약 40억 달러 규모로 성장할 것으로 예상된다. 전기 자동차와 재생 에너지 응용 분야 수요에 힘입어 전력 반도체 시장은 급성장하고 있다. 기존의 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 실리콘 칩과 비교했을 때 실리콘 카바이드(SiC)는 고온과 고전압 조건 모두에서 더 높은 효율성과 더 낮은 에너지 소비를 자랑한다. 전력 반도체 재료가 발전함에 따라 자동차 전자 검증에 대한 새로운 표준이 등장하고 있다. ECPE의 AQG 324 산업 표준은 자동차 전자 시장 진출에 반드시 필요한 인증으로 자리 잡았다. 이에 따라 반도체 장비 테스트, 패키징, 검사 솔루션 제공업체인 스파이록스가 아시아 태평양 지역에 최초의 전력 반도체 동적 신뢰성 검증 연구소를 설립한다. 스파이록스의 유통

작년 4사분기에 900개의 새로운 SiC 특허가 출원돼

KnowMade Patent Monitor

특허분석기관인 KnowMade는 작년 4사분기에 SiC와 관련된 900개의 새로운 특허가 출원되었으며 400개의 특허가 승인되었다고 발표했다. 이 기간 동안 100개 이상의 특허가 만료되거나 포기되었고 7개의 주목할 만한 특허가 이전되었다. 보고서에 의하면 이 기간 동안 미국에서는 새로운 IP 소송이 없었고 유럽에서는 특허 반대가 없었다. 주목할 만한

온세미, 코보의 실리콘 카바이드 JFET 기술 인수

Onsemi new name and logo

지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업인 온세미(ONsemi)는 코보(Qorvo)로부터 유나이티드 실리콘 카바이드(United Silicon Carbide) 자회사를 포함한 실리콘 카바이드 접합 전계 효과 트랜지스터(Silicon Carbide Junction Field-Effect Transistor, 이하 SiC JFET) 기술 사업을 1억 1,500만 달러에 인수하는 계약을 체결했다고 발표했다. 이번 인수를 통해 온세미는

Soitec’s SmartSiC™ technology for mobility

Soitec's SmartSiC™ technology for mobility sets an additional standard in power electronics to drive the electrification, autonomy, sustainability, power- and cost-efficiency of electric vehicles & industrial applications. The Auto SmartSiC™ product line enables to reach new levels of ultra high conductivity and performances of devices

SiC 반도체 시장에 뛰어드는 태국

태국이 2027년 가동을 목표로 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼 공장을 설립한다. 반도체 산업에서 큰 진전을 이룰 것으로 보이는 이 프로젝트는 국내 기업인 하나 마이크로일렉트로닉스와 태국석유공사(FTT) 간에 이루어진 투자를 기반으로 한다. 태국으로서는 첫 전력반도체 생산 시설이 될 이 합작 프로젝트가 확정됨에 따라 올해 안으로 건설이 시작될

산업용 전력 장비의 고효율화를 위한 도시바의 SiC 쇼트키 배리어 다이오드

도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지가 광전지 인버터, EV 충전소 및 스위칭 전원 공급 장치와 같은 산업 장비용 3세대 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 배리어 다이오드(Schottky barrier diodes) 라인업에 1200V 제품의 ‘TRSxxx120Hx 시리즈’를 추가했다. TO-247-2L 패키지 5개와 TO-247 패키지 5개 등 시리즈 중 10개의 신제품으로 출하된 TRSxxx120Hx

[New] 400, 800V EV 아키텍처용 SiC 전력 반도체

차세대 GaNFast™ 질화갈륨(GaN) 및 GeneSiC™ 탄화규소(SiC) 전력 반도체 분야의 전문업체인 Navitas Semiconductor가 D2PAK-7L(TO-263-7) 및 TOLL(TO-Leadless) 표면 실장(SMT) 패키지의 3세대 자동차 인증 SiC MOSFET 포트폴리오를 출시했다. Navitas의 독점적인 ' 트렌치 지원 플래너 ' 기술은 온도에 따라 업계 최고의 성능을 제공하고 전기 자동차(EV) 충전, 견인 및 DC-DC 변환을

실리콘(Si)과 실리콘 카바이드(SiC) 하이브리드 솔루션 나왔다

실리콘(Si)과 실리콘 카바이드(SiC) 하이브리드 솔루션

온세미, 새로운 전력 모듈 출시.. 설치 공간 줄이고 전력 출력 15% 증가 지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업인 온세미(Onsemi)는 최신 실리콘(Si)과 실리콘카바이드(SiC)가 결합된 하이브리드 전력 통합 모듈(PIM)을 새로운 패키지로 출시한다. 이는 유틸리티 규모의 태양광 스트링 인버터 또는 에너지 저장 시스템(ESS) 애플리케이션의 전력

온세미, 엘리트SiC M3e MOSFET 출시

Onsemi, EliteSiC M3e MOSFET

최신 EliteSiC M3e MOSFET, 전력 소모가 많은 애플리케이션에서 에너지 효율 크게 향상 온세미, 2030년까지 다양한 차세대 SiC 도입 계획 발표 지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업인 온세미가 최신 세대 실리콘 카바이드(SiC) 기술 플랫폼인 엘리트 실리콘 카바이드(이하 EliteSiC) M3e MOSFET 도입을 발표했다. 이와 함께