첨단 반도체 패키징 애플리케이션 공정 장비 제조사 YES(일드 엔지니어링 시스템즈)가 베로 썸(Vero Therm) 포름산 리플로우(FAR) 시스템을 로직과 메모리 분야의 주요 고객들에게 공급 중이다.
이 시스템은 대형 언어 모델(LLM) 애플리케이션이 구동하는 고성능 AI 가속기 발전 지원에 필요한 메모리와 로직 칩을 3D로 적층하는 데에 사용된다.
베로 썸 FAR 시스템은 플럭스리스 솔더 및 매스 리플로우 공정을 통해 10 마이크론 이하의 미세 범프 구조 달성을 위한 솔루션을 공급하도록 설계되었다. 이 시스템은 특히 현재 출시 중인 AI 가속기의 필수 부분인 적층 로직과 고대역폭 메모리(HBM)와 같은 첨단 패키징 아키텍처 제조를 위해 우수한 품질과 적은 총소유 비용(CoO)을 실현한다.
YES의 글로벌 세일즈 담당 SVP 알렉스 초우(Alex Chow)는 “베로 썸은 리플로우 품질을 개선하기 위해 유연성을 갖춘 독특한 단일 웨이퍼 챔버 설계를 구현하며 범프 피치 감소 문제를 해결한다”면서 “YES는 30 마이크론 미만의 피치에서 범프 크랙 결함이 관찰되지 않고 12um 이하의 피치로 붕괴된 범프가 생기지 않는 우수한 리플로우 결과를 보였다. YES의 전용 프로세스는 또한 결함이 없는 솔더 리플로우를 초래하여 많은 처리량과 적은 CoO로 귀결된다. 이러한 결과는 범프 기반 매스 리플로우 기술을 10um 미만의 피치로 확장할 수 있다”고 말했다. 초우는 또한 “이들 주문은 다수의 시장에 제품을 공급하려는 우리의 노력을 검증한 것이므로 YES에게 중요한 성과”라고 덧붙였다.
YES의 SVP 겸 드라이 비즈니스 부문 GM 사켓 차다(Saket Chadda)는 “당사 베로 썸 FAR 웨이퍼 제품 라인은 오래 된 대기압 시스템에서 발견되는 결함없이 산화물을 제거하고 솔더를 우수한 범프 형상으로 리플로우하는 작업을 수행하는 고유한 기능을 가진 진공 기반 단일 웨이퍼 프로세싱을 구현한다”면서 “SnAg(주석은) 응집 결함과 거친 표면을 제거하면서도 10um 이하 마이크론 피치까지의 확장성을 통해 금속 사이의 화합물 존을 최소화한다”고 말했다.
