독일의 파운드리 서비스 회사인 X-FAB Silicon Foundries가 차세대 XbloX 플랫폼인 XSICM03을 출시했다. 이 플랫폼은 전력 MOSFET을 위한 SiC 공정 기술을 발전시켜 셀 피치를 크게 줄이고 웨이퍼당 다이 수를 늘리고 온상태 저항을 개선하면서도 신뢰성은 손상시키지 않는다.
XbloX는 X-FAB의 고급 SiC MOSFET 기술 개발을 가속화하기 위한 비즈니스 프로세스 및 기술 플랫폼이다. 이는 평면 MOSFET 생산을 위한 적격 SiC 프로세스 개발 블록과 모듈을 통합하여 더 빠른 프로토타입 제작, 더 쉬운 설계 평가 및 더 짧은 출시 시간을 가능하게 해준다.
이 접근 방식을 사용하면 다양한 제품 포트폴리오를 만들 수 있을뿐 아니라 기존 개발 방법보다 생산 일정을 최대 9개월 더 빨리 달성할 수 있게 된다.
이 차세대 플랫폼은 견고한 공정 제어와 누설 및 파괴 장치 성능을 유지하면서 활성 영역 설계 셀 크기를 줄여준다. 견고한 설계 규칙을 갖춘 XSICM03 플랫폼을 사용하면 고객이 이전 세대보다 25% 이상 작은 셀 피치를 가진 SiC 평면 MOSFET을 만들 수 있다. 이러한 개선으로 이전 세대에 비해 웨이퍼당 다이가 최대 30% 증가한다.
이 효율적인 차세대 프로세스 플랫폼은 자동차, 산업 및 에너지 애플리케이션에서 고성능 SiC 소자의 증가하는 수요를 충족시켜줄 것으로 보인다.
