미국 오리건주에 본사를 둔 APC Electronics(APC-E)가 SiC 다이오드, MOSFET 및 게이트 드라이버 제품군을 조만간 출시한다.
전력 반도체 분야의 베테랑인 CEO W. Albert Gu와 CTO Dumitru G. Sdrulla가 이끄는 APC-E 팀은 지난 수년간 SiC 소자와 게이트 드라이버를 중심으로 IP를 개발하는 데 투자하여 신뢰성, 스위칭 속도, 에너지 효율성을 개선해왔다.
APC-E가 내놓게 될 제품에는 전원 공급 장치의 에너지 절감을 강화하기 위해 낮은 순방향 전압을 가진 650V SiC 쇼트키 배리어 다이오드(SBD)가 포함된다. 높은 서지 용량을 가진 1200V SiC SBD와 범용 산업용 SiC MOSFET도 출시될 계획이다.
올 하반기에는 높은 스위칭 속도를 갖춘 SiC MOSFET과 매칭된 절연 게이트 드라이버, 전기적으로 절연된 패키지와 같은 제품으로 더욱 효율적인 열 시스템 솔루션을 제공할 예정이다.
