영국의 질화 갈륨(GaN) 전력 소자 전문 업체인 Cambridge GaN Devices(CGD)가 3,200만 달러 규모의 시리즈 C 펀딩 라운드를 성공적으로 마감했다.
CGD의 독점적인 모놀리식 ICeGaN ® 기술은 기존 및 진보적 설계에 GaN을 구현하는 것을 단순화하여 99%를 넘는 효율 수준을 제공한다. 이를 통해 전기 자동차 및 데이터 센터 전원 공급 장치 등 광범위한 고전력 애플리케이션에서 최대 50%의 에너지를 절감시켜줄 것으로 보인다.
CGD는 ICeGaN ® 기술이 높은 에너지 효율, 소형화 및 모놀리식 통합 스마트 기능을 결합한 실리콘 카바이드(SiC)를 사용하는 기존 솔루션을 대체할 것으로 여긴다. 이를 통해 2029년까지 100억 달러를 초과할 것으로 추정되는 고전력 시장에서 상당한 우위를 차지하겠다는 포부를 가지고 있다.
