SiC 소자 개발업체인 SemiQ가 3종의 1200V SiC 풀브리지 모듈 제품군을 출시했다. 각 모듈은 견고한 고속 스위칭 SiC MOSFET 2개와 안정적인 바디 다이오드를 집적했다.
태양광 인버터, 에너지 저장, 배터리 충전 및 기타 고주파 DC 애플리케이션의 개발을 단순화하기 위해 개발된 이 모듈들은 1350V를 초과하는 전압에서 테스트되었으며 최대 102A의 연속 드레인 전류, 최대 250A의 펄스 드레인 전류, 최대 333W의 전력 소모를 제공한다.
최대 175oC의 접합 온도에서 작동하는 견고한 B2 모듈은 매우 낮은 스위칭 손실(25oC에서 EON 0.13mJ, EOFF 0.04mJ – 77mΩ 모듈), 낮은 제로 게이트 전압 드레인/게이트 소스 누설(0.1µA/1nA – 모든 모듈) 및 낮은 접합부 대 케이스 열 저항(와트당 0.4oC – 18mΩ 모듈)을 제공한다.
뛰어난 성능과 안정성을 갖춘 고속 SiC MOSFET을 집적한 QSiC 1200V 풀 브리지 모듈 제품군은 시스템 설계를 간소화하고 차세대 태양광, 저장 및 충전 솔루션의 출시 시간을 단축해준다.
즉시 구매 가능한 이 모듈은 방열판에 직접 장착이 가능하다. 프레스 핏 단자 연결부와 분리형 DC 음극 단자를 갖춘 62.8 x 33.8 x 15.0mm 패키지(장착 플레이트 포함)로 제공된다.
