SiC 소자 개발업체인 SemiQ가 3종의 1200V SiC 풀브리지 모듈 제품군을 출시했다. 각 모듈은 견고한 고속 스위칭 SiC MOSFET 2개와 안정적인 바디 다이오드를 집적했다.
태양광 인버터, 에너지 저장, 배터리 충전 및 기타 고주파 DC 애플리케이션의 개발을 단순화하기 위해 개발된 이 모듈들은 1350V를 초과하는 전압에서 테스트되었으며 최대 102A의 연속 드레인 전류, 최대 250A의 펄스 드레인 전류, 최대 333W의 전력 소모를 제공한다.
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최대 175oC의 접합 온도에서 작동하는 견고한 B2 모듈은 매우 낮은 스위칭 손실(25oC에서 EON 0.13mJ, EOFF 0.04mJ – 77mΩ 모듈), 낮은 제로 게이트 전압 드레인/게이트 소스 누설(0.1µA/1nA – 모든 모듈) 및 낮은 접합부 대 케이스 열 저항(와트당 0.4oC – 18mΩ 모듈)을 제공한다.
뛰어난 성능과 안정성을 갖춘 고속 SiC MOSFET을 집적한 QSiC 1200V 풀 브리지 모듈 제품군은 시스템 설계를 간소화하고 차세대 태양광, 저장 및 충전 솔루션의 출시 시간을 단축해준다.
즉시 구매 가능한 이 모듈은 방열판에 직접 장착이 가능하다. 프레스 핏 단자 연결부와 분리형 DC 음극 단자를 갖춘 62.8 x 33.8 x 15.0mm 패키지(장착 플레이트 포함)로 제공된다.
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