Giorgia Longobardi, Founder & CEO, CDG
Cambridge GaN Devices(CGD)는 GaN 트랜지스터 및 IC를 설계, 개발 및 상용화하여 에너지 효율성과 소형화의 근본적인 단계를 가능하게 하는 미션을 가지고 있다. 당사의 임무는 손쉬운 에너지 효율적인 GaN 솔루션을 제공하여 일상 생활에 혁신을 가져오는 것이다.
이미 CGD의 ICeGaN® 기술은 대량 생산에 적합한 것으로 입증되었으며 제조 및 고객 파트너십을 통해 빠르게 확장하고 있다. 케임브리지 대학에서 분사한 팹리스 기업인 당사의 ICeGaN HEMT 기술은 혁신에 대한 회사의 약속으로 인해 강력하고 지속적으로 성장하는 IP 포트폴리오로 보호된다.
당사의 기술 및 상업적 전문성과 전력 전자 시장에서의 광범위한 실적은 시장에 수용되는 데 근본적인 역할을 했다. GaN은 이미 모바일 기기 충전기를 위한 선택 기술로 널리 받아들여지지만 이제 더 높은 전력 응용 분야에서 기존 실리콘 MOSFET을 대체하려 한다.
업계는 또한 GaN이 제조 비용이 낮기 때문에 특정 고효율 설계에서 SiC를 대체할 수 있다는 것을 깨닫기 시작했다. 당사는 전력 산업에서 세계에서 가장 중요한 행사 중 하나인 APEC 2025에서 고효율 전력 시스템 설계자들과 심도 있는 논의를 통해 ICeGaN® GaN IC 기술의 견고성, 신뢰성 및 사용 편의성을 입증하려고 한다.
지금은 GaN 기술을 수용하는 업계에 흥미로운 시기이다. 실리콘의 이러한 변화는 의심의 여지 없이 GaN의 전력 밀도와 효율성 이점을 보여주었지만 당사는 업계에서 가장 견고한 것으로 입증된 솔루션으로 이 새로운 기술을 제시하고 있다.
ICeGaN은 100kW 이상의 EV 애플리케이션도 처리할 수 있는 방법을 자세히 설명하는 기술 로드맵이다. 이를 통해 설계자들은 ICeGaN이 열어준 가능성에서 영감을 받을 것이라고 확신한다.
