화합물 반도체 웨이퍼 제품 제조업체인 IQE와 아날로그/혼합 신호 파운드리인 X-FAB이 유럽 기반 GaN 전력 장치 플랫폼 솔루션을 만들기 위해 공동 개발 계약(JDA)을 체결했다.
이에 따라 양사는 향후 2년 동안 650V GaN 소자 개발을 위해 협력하게 된다. 이 계약은 IQE의 GaN 에피택시 설계 및 공정 전문성과 X-FAB의 기술 개발 및 소자 제조 역량을 결합해 자동차, 데이터 센터 및 소비자 가전 분야에 최적화된 기술과 기판 조합을 제공할 것이다.
이번 협력은 팹리스 반도체 기업들에게 최첨단 GaN 플랫폼을 제공하여 혁신 주기를 단축하고 제품 출시 기간을 단축하는 것을 목표로 한다. 이 기술은 또한 650V 이상의 고전압 제품 개발을 위한 기반을 마련하여 증가하는 전력 전자 시장 수요에 대응할 것으로 보인다.
IQE의 임시 CEO 겸 CFO인 유타 마이어는 “X-FAB과 협력하여 유럽에 세계적인 수준의 GaN 전력 파운드리 솔루션을 개발해 팹리스 고객에게 아웃소싱 옵션을 제공하게 되어 기쁘다. GaN 에피택시 전문성과 최근 GaN 리액터 용량 확장에 대한 투자를 바탕으로 한 이번 계약은 당사의 GaN 다각화 전략에 부합하며 GaN 전력 애플리케이션의 시장 출시 기간을 단축할 것이다.”라고 밝혔다.
X-FAB의 CTO인 요르그 도블라스키(Jörg Doblaski)는 “소자 제조 및 설계 역량 강화 분야에서 쌓아온 당사의 오랜 전문성과 IQE의 에피택시 분야 리더십을 결합하여 독창적인 턴키 GaN 전력 플랫폼을 구축하겠다. 이번 협력을 통해 양사는 기존 GaN 기술 외에도 기존 공급망 모델에 대한 매력적인 대안을 제공하고 차세대 전력 반도체 기술 분야에서 유럽의 입지를 강화할 예정이다”라고 말했다.
