시장조사기관 Knowmade의 SiC 특허 모니터 데이터에 따르면, 전력 SiC 기술은 2025년 1분기에 활발한 특허 활동을 보이며 전 세계적으로 840개 이상의 신규 특허 패밀리가 출원되었다.
이러한 특허 활동은 SiC 전력 소자 특허 시장에서 도시바의 성장세가 두드러지며 이번 분기에 중국 기업인 글로벌 파워 테크놀로지가 공개한 신규 발명 건수와 같은 수준을 기록했다. 글로벌 파워 테크놀로지는 지난 4분기 동안 꾸준히 특허 출원 건수가 가장 많았으며, 거의 전적으로 SiC MOSFET 구조 설계에 집중했다.
지난 1분기에 420개 이상의 특허 패밀리가 처음으로 등록된 것은 업계의 관심이 커지고 있음을 반영한다. 특허 출원인 순위에서는 덴소/도요타, 후지전기, 스미토모전기, 미쓰비시전기 등 5개 일본 기업과 더불어 같은 기간 동안 많은 실용신안 등록 건수를 기록한 중국 기업인 글로벌 파워 테크놀로지가 눈에 띈다.
한편, 이번 분기에 120개 이상의 특허가 만료되거나 포기되었는데 그중 약 20%는 울프스피드(Wolfspeed)에서 출원되었다.
이번 분기에는 약 40건의 특허 이전이 이루어졌는데 1월 온세미(Onsemi)에 인수된 Qorvo에서 United SiC로의 특허 재양도도 여러 건 이루어졌다. 협력 IP 활동은 15건을 넘어섰으며 주로 연구 기관과 국내 기업 간의 국내 파트너십이 주를 이루었다. 특히, 게이트 트렌치 아래에 전계 완화 영역을 갖춘 트렌치 SiC MOSFET의 게이트 신뢰성 향상을 목표로 하는 닛산-르노 간 제휴가 두드러졌다.
2025년 1분기에는 SiC 분야에서 새로운 특허 소송이 발생하지 않았다. 그대신, 퍼듀 대학교와 울프스피드(Wolfspeed) 간의 미국 소송이 종결되었다.
2025년 1분기에 SiC 특허 분야에서는 15건 이상의 신규 특허(즉, 최초로 SiC 관련 특허를 발표한 기업)가 등장했는데 이들 중 대부분은 중국에서 발생했다.
