NoMIS Power가 차세대 1.2kV 평면 SiC MOSFET 플랫폼의 핵심을 발전시켰다. 이 기술은 소자 설계 및 공정 단계를 최적화하여 온 저항을 대폭 줄인 것이 특징이다. 이를 통해 SiC를 기존 시스템에 적용하거나 새로운 전력 변환기 설계의 경계를 넓히는 것이 그 어느 때보다 쉬워졌다.
NoMIS Power는 마지막 제품 출시 이후 8개월도 채 되지 않아 1.2kV 평면 SiC MOSFET의 성능을 크게 향상시켜 50nm의 게이트 산화막 두께에서 실온에서 2.5mΩ-cm²의 비저항(R on,sp ) 을 달성한 쾌거를 이루었다고 발표했다.
낮은 R on,sp 와 업계 표준보다 두꺼운 게이트 산화막이 조합된 이 차세대 소자는 게이트 산화막에 가해지는 전계 응력이 낮아 입력 커패시턴스가 감소하고 신뢰성 마진이 향상되면서 고주파 스위칭을 지원할 수 있다.
이 새로운 SiC MOSFET은 이전 세대 대비 R on,sp를 최대 20%까지 낮추면서도 동일한 기본 공정을 사용한다 . 그 결과, 시스템 설계자는 기존 풋프린트에서 더 높은 효율과 전력 밀도를 확보할 수 있도록 직접적인 성능 업그레이드를 실현하게 되었다.
NoMIS Power의 획기적인 기술을 통해 엔지니어는 +18V 또는 +20V의 게이트-소스 전압(Vgs)에서 거의 동일한 성능으로 게이트 드라이버를 작동할 수 있다.
따라서 낮은 Vgs 작동으로 인한 단점을 해소하게 된다.(그림 1). 결과적으로 NoMIS SiC MOSFET은 기존 애플리케이션에서 게이트 드라이버 재설계의 필요성을 없애 기존 전력 전자 플랫폼과의 통합을 간소화하는 동시에 SiC로의 전환을 가속화하는 게 가능해졌다.
