핵심 반도체 전문업체인 Nexperia가 지속적으로 확장되고 있는 전력 전자 부품 포트폴리오에 2개의 1200V 20A 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드를 추가했다.
PSC20120J및 PSC20120L은 산업용 기기 분야에서 고효율 에너지 변환을 가능하게 하는 초저전력 손실 정류기에 대한 수요를 해결하도록 설계되었다. 이에 따라 이 제품들은 전력 집약적인 인공 지능(AI) 서버 인프라, 통신 장비 및 태양광 인버터 애플리케이션의 전원 공급 장치(PSU)에 이상적이다.
이번에 출시된 새로운 쇼트키 다이오드들은 온도에 독립적인 정전식 스위칭과 제로 리커버리 동작을 통해 최첨단 성능으로 뛰어난 성능 지수(QC x VF)를 제공한다. 전류 및 스위칭 속도 변화에 거의 영향을 받지 않는 스위칭 성능을 발휘하는 것도 특징이다.
이 소자들의 병합된 PiN 쇼트키(MPS) 구조는 높은 피크 순방향 전류(IFSM)로 입증된 서지 전류에 대해 뛰어난 견고성과 같은 추가적인 이점도 제공한다. 이 기능은 추가 보호 회로에 대한 요구 사항을 완화하여 시스템 복잡성을 크게 줄여주므로 엔지니어들은 견고한 고전압 애플리케이션에서 더 작은 폼 팩터로도 더 높은 효율성을 달성할 수 있다.
PSC20120J는Real-2-Pin D2PAK R2P(TO-263-2) 표면 실장 부품(SMD)형 전력 플라스틱 패키지에 캡슐화되었으며 PSC20120L는 Real-2핀 TO247 R2P(TO-247-2) 스루홀 전력 플라스틱 패키지에 하우징되었다.
이 열적 안정 패키지들은 고전압 응용 제품에서 최대 175°C의 작동 온도까지 소자의 신뢰성을 향상시켜준다. 이로 인해 설계자들은 강력한 공급망을 갖춘 다양한 기술로 고품질 반도체 제품을 제공하는 넥스페리아의 입증된 명성에 더욱 안심할 수 있게 되었다.
Nexperia의 실리콘 카바이드 다이오드 포트폴리오에 대한 상세 정보는 www.nexperia.com/products/diodes/silicon-carbide-sic-schottky-diodes에 있다.
