질화갈륨(GaN) 반도체 수요가 지속적으로 증가함에 따라 인피니언 테크놀로지스가 GaN 시장의 선도적인 종합반도체 제조업체(IDM)로서의 입지를 굳히고 있다.
최근 인피니언은 300mm 웨이퍼 기반의 확장 가능한 GaN 생산이 순조롭게 진행되고 있다고 발표했다. 2025년 4분기에 첫 샘플을 고객에게 제공함으로써, 인피니언은 고객 기반을 확대하고 선도적인 GaN 기업으로서의 입지를 더욱 공고히 할 수 있는 유리한 위치에 서게 되었다.
전력 시스템 분야의 선두주자인 인피니언은 실리콘(Si), 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN)이라는 세 가지 관련 소재를 모두 완벽하게 다루고 있다. 더 높은 전력 밀도, 더 빠른 스위칭 속도, 더 낮은 전력 손실을 제공하는 GaN 반도체는 스마트폰 충전기, 산업용 및 휴머노이드 로봇, 태양광 인버터와 같은 전자 기기의 소형 설계를 가능하게 하여 에너지 소비와 발열을 줄여준다.
인피니언 GaN 사업부 책임자인 요하네스 쇼이스볼(Johannes Schoiswohl)은 “완전히 확장된 300mm GaN 생산을 통해 고객에게 최고의 가치를 더욱 빠르게 제공하는 동시에 동급 실리콘 및 GaN 제품의 원가 동등성을 달성할 수 있게 되었다.”라며 “인피니언의 300mm GaN 웨이퍼 기술 혁신 발표 이후 거의 1년이 지난 지금, 전환 과정이 순조롭게 진행되고 있다”고 언급했다.
인피니언의 제조 전략은 주로 IDM(Infineon Integrated Manufacturing) 모델에 기반하고 있다. 즉, 설계부터 제조, 최종 제품 판매까지 전체 반도체 생산 공정을 자체적으로 진행함으로써 고품질, 빠른 출시 기간, 탁월한 설계 및 개발 유연성 등 여러 장점을 제공해 타 업체들과 차별화한다는 전략이다.
인피니언은 기술 리더십을 바탕으로 기존 대량 생산 인프라 내에서 300mm GaN 전력 웨이퍼 기술을 성공적으로 개발한 최초의 반도체 제조업체이다. 300mm 웨이퍼를 이용한 칩 생산은 기존 200mm 웨이퍼보다 기술적으로 더욱 발전하고 효율성이 훨씬 높다. 웨이퍼 직경이 더 커져 웨이퍼당 2.3배 더 많은 칩을 생산할 수 있기 때문.
시장 분석가들은 전력 응용 분야를 위한 GaN 수익이 2030년까지 연간 36%씩 성장하여 약 25억 달러에 이를 것으로 예상합니다.
