EPC(Efficient Power Conversion)는 베이징 지식재산권 법원이 Innoscience(Suzhou) Technology Co., Ltd.(이하, Innoscience)가 제기한 항소를 기각했다고 발표했다. 이로써 EPC의 중국 특허 번호 ZL201080015425.X(” 보상형 게이트 MISFET 및 그 제조 방법 “)의 유효성이 재확인되었다.
베이징 지식재산권 법원의 이번 결정은 EPC의 귀중한 지식재산권 포트폴리오를 더욱 강화하고, 증강형 GaN 반도체 소자 분야의 선구자로서의 입지를 더욱 공고히 하게 되었다.
EPC의 증강형 GaN 전계효과 트랜지스터(FET) 및 그 제조 기술을 다루는 두 건의 특허에 대해 중국 쑤저우에 있는 이노사이언스(Innoscience)가 이의를 제기한 바 있다. 중국 국가지식재산권국(CNIPA)은 이미 2024년 4월과 5월에 두 특허 모두에 대한 유효성을 확인했지만, 이노사이언스는 보상형 게이트 특허에 대한 결정에 대해 재심을 청구했었다(사건 번호: (2024)京73行初15061号 ((2004)Jing73XingChu NO.15061)).
EPC의 CEO이자 공동 창립자인 알렉스 리도우는 “EPC의 GaN 전력 소자 혁신은 거의 20년에 걸친 연구 개발을 반영한다.”라며 베이징 지식재산권 법원의 판결이 자사의 지식재산권의 강점을 확인해준 것으로 언급했다.
EPC는 이번 미국 국제무역위원회(ITC)의 결정 덕분에 이익을 얻게 된다. 이 결정은 Innoscience가 EPC의 지식재산권을 침해했다고 판결함으로써 이로 인해 침해된 Innoscience 제품의 미국 내 수입이 금지되는 배제 명령이 내려졌기 때문.
