8인치 특수 파운드리 분야의 선도 기업인 DB하이텍이 차세대 전력 반도체 플랫폼인 650V E-모드 GaN HEMT(질화갈륨 고전자 이동도 트랜지스터) 공정 개발의 최종 단계에 있다고 발표했다. 이에 따라 DB하이텍은 10월 말 GaN 전용 MPW(멀티 프로젝트 웨이퍼) 프로그램을 제공할 예정이다.
GaN 기반 반도체는 기존 실리콘 기반 전력 소자와 비교하여 고전압, 고주파 및 고온 작동 조건에서 탁월한 성능을 발휘하여 탁월한 전력 효율을 제공한다. 특히 650V E-모드 GaN HEMT는 고속 스위칭 성능과 견고한 동작 안정성을 자랑하여 EV 충전 인프라, 하이퍼스케일 데이터 센터의 전력 변환 시스템, 그리고 첨단 5G 네트워크 장비에 매우 적합한다.
2022년, 화합물 반도체 시장이 아직 초기 단계에 있을 때 DB하이텍은 GaN과 SiC를 핵심 성장 동력으로 삼고 공정 개발에 상당한 투자를 해왔다.
업계 최초로 0.18µm BCDMOS 공정을 개발했던 DB HiTek은 이번에 GaN 공정 역량을 추가함으로써 광범위한 기술 포트폴리오를 바탕으로 회사의 경쟁력을 강화할 수 있을 것으로 보인다.
DB HiTek은 650V GaN HEMT 공정 완료에 이어 2026년 말까지 200V GaN 공정과 IC(집적회로) 집적에 최적화된 650V GaN 공정을 출시할 계획이다. 앞으로 DB HiTek은 시장 요구와 고객 요구 사항에 맞춰 더 넓은 전압 스펙트럼으로 GaN 플랫폼을 확장하게 된다.
이러한 이니셔티브를 지원하기 위해 DB하이텍은 충청북도 에 위치한 Fab2의 클린룸 시설을 확장 중이다. 이번 확장을 통해 월 약 35,000장의 8인치 웨이퍼를 생산할 수 있는 용량이 추가되어 GaN, BCDMOS, SiC 공정 생산을 지원하게 된다.
이 확장이 완료되면 DB하이텍의 월 총 웨이퍼 생산 용량이 154,000장에서 190,000장으로 23% 늘어난다.
