로옴과 인피니언이 온보드 충전기, 태양광 발전, 에너지 저장 시스템, AI 데이터 센터 등의 애플리케이션에 사용되는 SiC 전력 반도체용 패키지 개발에 협력한다.
양사는 상호 협력 계약 체결을 통해 SiC 전력 소자용 특정 패키지의 2차 공급원으로서 상호 협력을 도모해 고객사들의 설계 및 조달 유연성을 향상시키기로 했다. 이에 따라 고객사들은 로옴과 인피니언 모두에서 호환 가능한 하우징을 갖춘 소자를 공급받게 된다.
이번 계약의 일환으로 로옴은 TOLT, D-DPAK, Q-DPAK, Q-DPAK 듀얼, H-DPAK 패키지를 포함한 인피니언의 혁신적인 SiC용 상단 냉각 플랫폼을 채택할 예정이다. 인피니언의 상단 냉각 플랫폼은 모든 패키지에 대해 2.3mm의 표준화된 높이 등 여러 가지 이점을 제공한다.
한편 인피니언은 로옴의 SiC 하프 브리지 구성 DOT-247 패키지와 호환되는 패키지를 개발할 예정이다. 이를 통해 인피니언은 최근 발표한 Double TO-247 IGBT 포트폴리오에 SiC 하프 브리지 솔루션을 포함하게 된다.
로옴의 DOT-247은 표준 디스크리트 패키지보다 더 높은 전력 밀도를 제공하고 조립 공정을 줄여준다. 두 개의 TO-247 패키지를 통합하는 독특한 구조를 특징으로 하는 이 패키지는 TO-247 대비 열 저항을 약 15%, 인덕턴스를 50% 감소시켜준다. 이로 인해 TO-247보다 전력 밀도가 2.3배 더 높은 것이 특징이다.
로옴과 인피니언은 이를 계기로 SiC, GaN 등 실리콘과 와이드 밴드갭 전력 기술을 모두 갖춘 다른 패키지로 협력 범위를 확대할 계획이다.
