글로벌파운드리와 나비타스 세미컨덕터가 미국 기반 질화갈륨(GaN) 기술, 설계 및 제조를 강화하고 가속화하기 위한 장기적인 전략적 파트너십을 발표했다. 이에 따라 양사는 AI 데이터센터, 퍼포먼스 컴퓨팅, 에너지 및 그리드 인프라, 산업 전기화 등 최고의 효율과 전력 밀도를 요구하는 고전력 시장의 핵심 애플리케이션을 위한 첨단 솔루션을 협력, 개발 및 제공하게 된다.
GaN 및 고전압 SiC 기술의 선구자인 나비타스는 모바일 고속 충전기, 소비자 가전, 고성능 컴퓨팅, 전기차, 에너지 저장 장치, 산업용 기기 등 대량 생산 시장에서 GaN을 성공적으로 도입했으며, 고전력 시장에서 GaN 도입을 가속화하기 위해 노력해오고 있다.
글로벌 파운드리는 수십 년간 신뢰받는 글로벌 파운드리 파트너로서 쌓아온 경험을 바탕으로 안정적이고 고품질의 대량 생산을 보장한다. 이러한 장기적인 파트너십을 통해 양사는 버몬트주 벌링턴에 위치한 글로벌 파운드리의 공장에서 차세대 GaN 제품을 생산할 예정이다.
글로벌 파운드리의 고전압 GaN-on-Silicon 기술 전문성과 나비타스의 오랜 GaN 기술 및 소자 전문성이 만나는 시점은 2026년 초로 예정되어 있다. 본격적인 생산은 내년부터 시작된다.
