미쓰비시 일렉트릭이 전기 자동차(EV) 트랙션 인버터, 차량용 충전기, 태양광 발전 등 신재생 에너지용 전원 공급 시스템과 같은 전력 전자 장비에 사용되는 4가지 새로운 트렌치 SiC-MOSFET 베어 다이 샘플을 곧 출하한다.
미쓰비시 일렉트릭은 1월 21일부터 23일까지 도쿄에서 열리는 제40회 넵콘 재팬 R&D 및 제조 전시회를 비롯하여 북미, 유럽, 중국, 인도 등지에서 개최되는 전시회에서 새로운 트렌치 SiC-MOSFET 베어 다이를 선보일 계획이다.
새로 출시된 4개의 트렌치 SiC-MOSFET 베어 다이는 회사의 기존 트렌치 SiC-MOSFET 베어 다이와 유사하지만, 독자적인 트렌치 SiC-MOSFET 구조를 사용하여 평면 SiC-MOSFET에 비해 전력 손실을 약 50% 줄인 것이 특징.
미쓰비시 일렉트릭의 독자적인 게이트 산화막 제조법을 포함한 제조 공정은 전력 손실 및 온 저항의 변동을 억제하여 장기간 사용에도 안정적인 품질을 보장하는 것으로 알려졌다.
