인피니언 테크놀로지스의 CoolSiC™ MOSFET(실리콘 카바이드 전력 MOSFET)이 토요타의 신규 bZ4X 모델에 채택됐다.
SiC MOSFET은 온보드 차저(OBC)와 DC/DC 컨버터에 적용되며 낮은 손실, 높은 열저항, 고전압 특성 등 SiC 소재의 장점을 통해 주행 거리를 늘리고 충전 시간을 단축하는 데 기여한다.
인피니언의 오토모티브 영업 총괄 수석 부사장인 피터 셰퍼(Peter Schaefer)는 “세계 최대 자동차 제조사 중 하나인 토요타가 인피니언의 CoolSiC™ 기술을 선택한 것을 매우 자랑스럽게 생각한다. 실리콘 카바이드는 전기차의 주행 거리, 효율, 성능을 향상시켜, 미래 모빌리티에 매우 중요한 역할을 한다. 인피니언은 지속적인 혁신과 무결점(zero-defect) 품질에 대한 헌신과 노력을 바탕으로 전동화 분야에서 증가하는 전력 반도체 수요에 효과적으로 대응할 수 있는 입지를 갖추고 있다”고 말했다.
인피니언의 CoolSiC™ MOSFET은 독자적인 트렌치 게이트 구조를 통해 온 저항과 칩 크기를 줄여 전도 손실과 스위칭 손실을 모두 감소시켜 자동차 전력 시스템의 효율을 향상시킨다.
이 소자는 기생 커패시턴스와 게이트 임계 전압을 최적화해 유니폴라 게이트 구동을 가능하게 해, 전기 구동계의 구동 회로를 단순화하고 OBC 및 DC/DC 컨버터의 고집적·고신뢰 설계를 지원한다.
