NoMIS Power의 6.5kV 대형 다이 SiC MOSFET은 8kV 이상의 차단 전압, 90mΩ의 온 저항, 55A의 드레인 전류를 특징으로 한다.
한편 이 제품은 현재 미국 고객사들을 대상으로 샘플링 진행 중이다. 온 저항 변형 제품, 소형 다이 소자, 하이브리드 접합-장벽 쇼트키 FET(JBSFET) 소자, 독립형 다이오드를 추가해서 확장된다.
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JBSFET 구조는 바디 다이오드 열화 문제를 방지하여 중요 애플리케이션에 견고한 성능을 제공한다. 고전압 직류(HVDC), 고체 변압기, 펄스 전력, 철도 견인 및 메가와트급 전기차 충전 등에 적용된다. 6.5kV 표준 생산 부품은 2026년 4분기에 상용 고객들에게 제공될 예정이다.
이 칩은 향후 출시될 10kV MOSFET 및 20kV SiC IGBT 개발의 확실한 로드맵이 된다. 현재 NoMIS Power의 고전압 SiC 로드맵은 3단계로 구성되어 있는데 3.3kV는 생산 단계, 6.5kV는 샘플링 단계, 10kV는 개발 단계에 있다.
3.3kV 제품은 지금 바로 구매가 가능하다. 80mΩ(34A), 50mΩ(55A), 25mΩ(105A) 소자를 포함한 3.3kV SiC MOSFET 제품군들은 TO-247-4L-HC 패키지 및 베어 다이 형태로 생산되는데 50~160mΩ SiC 양방향 스위치와 500A 하프 브리지 전력 모듈도 함께 제공된다.
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