넥스페리아가 지난해 말에 ±20V의 VGS(게이트-소스 전압)과 -55°C~+175°C의 동작 온도 범위를 지원하는 650V GAN063-650WSA 소자를 출시해 GaN(갈륨 비소) FET 시장에 진출한 것으로 알려졌다.
넥스페리아가 처음으로 선보인 신제품 GAN063-650WSA는 60mΩ 이하의 낮은 RDS(on) 저항과 빠른 스위칭 속도를 통해 매우 뛰어난 효율을 달성한다. 이 제품은 xEV, 데이터센터, 텔레콤 인프라, 산업 자동화, 고급 전원장치 등 고성능 애플리케이션 영역을 겨냥한다.
넥스페리아의 GaN-on-silicon 공정은 품질과 신뢰성 면에서 검증된 강건하고 성숙한 기술이며 기존 실리콘 팹 설비로도 웨이퍼 처리가 가능할 정도로 확장성 역시 매우 뛰어나다. 이 소자는 업계 표준 TO-247 패키지로 공급되기 때문에 사용자들이 익숙한 패키지에서 GaN의 탁월한 성능을 활용할 수 있다.
넥스페리아 MOS 사업그룹을 총괄하는 토니 베르슬루이스(Toni Versluijs) 제너럴 매니저는 “당사는 이 제품의 출시로 고전압 시장 영역에 진출, xEV 전력 반도체 애플리케이션에 적합한 기술을 제공할 수 있게 되었다. 당사의 GaN 기술은 양산 체제에 바로 적용이 가능하며 대규모 애플리케이션을 충족할 수 있는 확장성도 갖추었다. 넥스페리아는 자가용이나 대중교통 수단으로 선호되던 기존 내연기관 자동차가 전기 자동차가 대체됨에 따라 향후 20년 동안 엄청난 성장을 예상한다”고 말했다.
GAN063-650WSA GaN FET는 넥스페리아가 자동차, 통신 인프라, 산업용 시장을 겨냥하여 개발한 첫 번째 GaN 소자 제품군이다. 새로운 GAN063-650WSA의 제품 사양 및 데이터시트 등 자세한 정보는 https://efficiencywins.nexperia.com/innovation/gan-introduction.html을 참조하면 된다.
Hordon Kim, International Editor, hordon@powerelectronics.co.kr
