도시바가 산업 장비용 소형 DFN8x8 패키지의 3세대 650V SiC MOSFET의 양산을 시작했다.
온도 계수가 지속적으로 낮은 TW031V65C, TW054V65C, TW092V65C, TW123V65C 제품들은 낮은 드레인-소스 온 저항(RDS(ON)) RDS(ON) x 게이트-드레인 전하(Qgd) 성능 지수(FoM)를 특징으로 한다. 엔지니어들은 스위치 모드 전원 공급 장치(SMPS), 전기차(EV) 충전소, 무정전 전원 공급 장치(UPS), 태양광(PV) 인버터 등 다양한 고전압 애플리케이션의 전력 밀도와 효율을 향상시킬 수 있다.
표면 실장형 DFN8x8 패키지는 TO-247 및 TO-247-4L(X)와 같은 기존 리드 삽입형 패키지에 비해 부피를 90% 이상 줄여 소자의 전력 밀도를 향상시키고 자동화된 조립을 가능하게 한다. 또한, 표면 실장은 기생 임피던스를 줄여 스위칭 손실을 줄이고 낮은 FoM(전력 손실)을 달성하여 효율을 향상시켰다.
발열량이 감소함에 따라 고전압 전력 시스템 설계가 더욱 간단하고 소형화되어 공간 제약이 있는 애플리케이션에 적합하며 소형화에도 기여한다. 또한, 다중 핀 소자는 게이트 구동을 위한 신호 소스 핀의 켈빈 연결을 가능하게 한다.
이러한 기능은 패키지 내 소스 와이어의 인덕턴스 영향을 줄여 고속 스위칭 성능을 구현한다. 그 결과, 특정 시험 조건(VDD=400V, VGG=+18/0V, ID=20A, RG=4.7Ω, L=100µH)에서 신제품 중 하나인 TW054V65C는 기존 Toshiba 제품에 비해 턴온 손실을 약 55%, 턴오프 손실을 약 25% 줄여 소자의 전력 손실을 줄여준다.
