2025년 3분기의 GaN 산업은 599건의 신규 특허을 등록했다. 이러한 특허의 70%가 중국 기업에서 출원되어 중국이 GaN 개발을 선도하려는 지속적인 노력을 보여주었다고 시장조사기관인 KnowMade가 밝혔다.
이 중 376개의 신규 특허 패밀리가 전력 응용 분야를 대상으로 하는데 이는 RF 기술을 크게 앞지르는 수치이다. 107개의 특허 패밀리는 RF 응용 분야에 중점을 두고 있으며 110개가 넘는 특허 패밀리는 여러 응용 분야를 다루며, 이는 GaN 소재와 소자의 횡단적 관련성을 반영한다.
이러한 지속적인 IP 흐름은 에너지 효율성, 고속 충전 시스템, EV 파워트레인, 통신 인프라, 고주파 구성 요소 등 2025년 3분기 GaN 혁신의 핵심 동인에 대한 GaN 기술에 대한 강력한 관심을 보여준다.
2025년 3분기 GaN 혁신의 핵심은 캘리포니아 대학교, 메릴랜드 대학교, 버지니아 대학교, 그리고 미 해군 간의 미국 기반 학계-군 협력이다. 두 기관은 통합 다이아몬드 방열판과 AlGaN HEMT 사이의 열 경계 저항을 줄이도록 설계된 카바이드 ‘포논 브리지 층’을 도입했다. KnowMade 보고서에 따르면, 이 개발은 GaN 소자의 열 관리에 획기적인 개선을 가져올 것으로 보인다.
