2025년 3분기에는 426개의 특허 패밀리가 처음으로 등록되어 GaN 생태계의 경쟁적 통합을 여실히 보여주었다. 230개 이상의 신규 특허 패밀리가 전력 분야와 관련된 반면, RF 분야는 90개에 불과했다. 약 100개의 신규 특허 패밀리는 다중 응용 분야 발명을 다루었다.
이 기간 동안 많은 IP 신규 진입 기업들이 GaN 전자 관련 특허를 최초로 출원했다. 주목할 만한 사실은 이들의 대부분이 중국 기업이었다는 것이다.
중국 기업이 아닌 몇몇 주요 신규 진입 기업들은 의미 있는 기여를 한 것으로 분석되었다. 예를 들어 프랑스의 Alpsemi는 첨단 전력 변환 전용 고전압 HEMT 에피택셜 구조를 공개했다. SK Foundry는 전류 붕괴를 완화하여 소자 신뢰성을 향상시키도록 설계된 GaN 트랜지스터 구조를 선보였다.
한편 미국의 Atomera는 GaN-on-Si 에피택시에서 응력 및 변형률 제어를 강화하는 동시에 성장 기판으로부터의 자가 분리를 용이하게 하는 초격자 구조를 공개했는데, 이는 제조 측면에서 중요한 이정표가 되었다.
전력 GaN 시장 업체 중 인피니언은 이번 분기 GaN IP 부문에서 가장 강력한 성과를 보이며, 15건의 신규 특허를 확보했다. 이는 이노사이언스(7건)와 롬(3건)을 크게 앞지르는 수치이다. 인피니언의 신규 특허는 GaN 트랜지스터, 제조 방법, 저인덕턴스 패키징, 전력 IC, 그리고 DC/DC 컨버터 기반 시스템 전반에 걸쳐 있다.
한편 주요 파운드리도 UMC가 8개의 특허를 취득하면서 IP 입지를 강화했고, TSMC와 GlobalFoundries는 각각 3개의 추가 특허를 취득하면서 IP 포트폴리오를 강화했다.
