울프스피드가 미국 델라웨어 지방법원에 나비타스 반도체(Navitas Semiconductor)를 상대로 특허 침해 소송을 제기했다.
나비타스는 소송에서 자사의 다양한 제품들이 자사의 여러 특허, 특히 미국 특허 번호 8,169,005, 10,998,418, 10,886,396, 10,749,443, 11,888,392를 침해했다고 주장했다.
침해 혐의를 받는 제품에는 GaN 기반 FET(예: GaNFast®, GaNSlim™, GaNSafe® 제품군)를 포함한 나비타스의 GeneSiC™ MOSFET 및 SiCPAK® 모듈등이다.
울프스피드는 실리콘 카바이드(SiC) 소재, 갈륨 질화물(GaN) 기반 트랜지스터, SiC 기반 MOSFET 및 모듈 분야에서 수십 년간 기술 리더십을 유지해왔다며 이러한 혁신의 유산이 최신 광대역 반도체 산업의 기반이 되는 광범위하고 핵심적인 특허 포트폴리오로 결실을 맺고 있다고 주장했다.
“울프스피드의 핵심 기술은 이 산업을 창출하는 데 기여했으며 이를 통해 수십 년간의 혁신과 연구 개발 투자를 통해 축적된 지적 재산권을 보호하는 데 전념하고 있다. 당사는 타인의 지적 재산권을 존중하며, 그에 상응하는 존중을 기대한다.”라고 언급한 울프스피드의 최고경영자 로버트 포이어레는 “특허 포트폴리오 보호는 회사와 주주들에게 전략적으로 중요한 우선순위이다. 이번 조치는 우리의 권리를 행사하고 차세대 SiC 및 GaN 기술에 대한 지속적인 투자를 보호하겠다는 우리의 의지를 반영한다.”고 강조했다.
