올해 1분기 동안 SiC 기술 관련 특허 활동은 기판 및 에피택셜 웨이퍼 뿐 아니라 전력 소자 및 모듈등 모든 부문에서 활발하게 진행되었다.
시장조사기관인 KnowMade의 최신 발표에 의하면 2026년 2026년 1분기 동안 460건 이상의 신규 특허가 공개되었는데 이 중 350건 이상은 SiC 전력 소자 및 SiC 전력 모듈의 기술 개발과 관련된 새로운 발명인 것으로 나타났다.
상위 15개 IP 기업이 해당 분기 IP 활동의 거의 50%를 차지하는데 특히 SiC 전력 전자 분야에서 활동하는 선발 주자들의 특허 출원 노력이 전략적으로 집중되고 있음을 보여줬다.
주목할 만 한 것은 SiC 기술 특허 분야에서의 중국 역할이다. 2026년 1분기 동안 SiC 전력 소자 및 모듈 관련 특허 출원 활동은 중국에 집중되었다.
국가별로는 290건의 신규 특허 출원이 확인되었다. 그 중에서 중국이 1위를 차지했고 미국, 일본, 유럽, 한국, 대만 순이었다. 상위 15개 특허 출원국 중에서도 중국, 미국, 일본에 출원 활동이 집중되었다.
도시바와 인피니언 같은 기업들이 중국에서 자사 제품군을 보호하고 있는 반면 글로벌 파워 테크놀로지, BYD, 지롄 자동차 전자 등 주요 중국 특허 출원 기업들은 국내 시장에 집중하고 있음을 보여줬다. 이는 중국이 SiC 기술의 주요 시장인 동시에 혁신과 지식재산권 보호가 더욱 치열해지는 상황임을 입증하는 사례이다.
