로옴 (ROHM)이 반도체 소자의 공명 터널 다이오드 (Resonant Tunneling DiodeRTD)를 사용한 테라헤르츠파 발진 디바이스의 제2세대 제품 개발에 성공했다.
이 제2세대 제품의 샘플은 케이블, 평가 보드를 세트로 구성된 테라헤르츠파 디바이스 평가 키트 RTD-EVK-G2로 제공된다.
제2세대 제품은 제1세대 제품과 동일한 0.5×0.5mm의 칩 사이즈이지만 고출력화가 가능한 내부 구조를 채용함으로써 발진 출력을 4배에 해당하는 최대 40µW로 향상시킨 것이 특징이다.
이 제품은 대상물을 투과 · 반사한 후의 테라헤르츠파를 검출하기 쉬워지기 때문에 높은 신호 품질이 요구되는 센싱 및 이미징과 같은 어플리케이션에 활용 가능하다.
패키지도 제1세대 제품과 동일한 4.0×4.3mm 사이즈의 PLCC를 채용함으로써 업계 최소 사이즈를 유지했다. 이에 따라, 한정된 공간에서도 평가 환경을 쉽게 구축하는 게 가능하다.
한편 RTD 방식은 다른 방식에 비해 발열량이 적고 소비전력도 낮아 기업이나 연구 기관에서의 어플리케이션 개발 부담을 줄일 수 있다.
