넥스페리아가 차세대 전력 밀도 및 효율을 위한 초저저항 소자들을 발표했다. 이번에 새롭게 출시된 18V~200V GaN 소자는 로봇공학, 인공지능 및 신재생에너지 분야에 적용되는 소형 열 성능 향상 패키지에서 0.32mΩ까지 낮은 RDS(on) 값을 제공하는 것이 특징이다.
이 초저저항 질화갈륨(GaN) FET은 18V~200V 범위의 저전압 및 중전압 GaN 포트폴리오에 속한다. AI 데이터센터, 휴머노이드 로봇, 배터리 구동 도구, 신재생 에너지, 고효율 SR 및 DC-DC 변환 분야의 전력 설계 문제를 해결하도록 설계된 이 제품들은 높은 전류 처리 능력, 빠른 스위칭 성능, 그리고 소형의 열 성능 향상 패키지를 결합하여 광범위한 애플리케이션에서 효율성과 전력 밀도를 향상시켜준다.
이 제품군은 업계 최고 수준의 GaN 기술을 활용하여 10mm²의 PCB 크기에도 불구하고 1밀리옴 미만의 온 상태 저항RDS (on)을 달성한 이 제품들은 까다로운 전력 변환 애플리케이션에서 더 높은 스위칭 주파수와 낮은 스위칭 손실을 지원한다.
이러한 특성은 효율성, 전력 밀도 및 소형화에 대한 요구가 증가함에 따라 고급 DC-DC 컨버터 토폴로지와 고성능 3상 BLDC/PMSM 모터 드라이브의 도입이 가속화되는 차세대 전력 시스템에 특히 중요하다.
고밀도 DC-DC 전력 변환 분야에서, 100V~200V 중전압 포트폴리오는 절연 토폴로지의 1차측 및 2차측 전력 스테이지는 물론 비절연 스텝다운 컨버터까지 모두 지원한다.
이 제품들은 하프 브리지 및 풀 브리지 LLC 공진 컨버터에 적합하며 AI 인프라에 점점 더 많이 사용되는 48V 전력 공급 아키텍처에서 고효율 동기 정류를 구현하도록 해준다.
