Author: Hordon Kim

Hordon Kim is an international editor at Power Electronics Magazine. He covers global news and events in English and runs a consulting agency in Korea.

Valeo, 차세대 LiDAR로 자율주행 모빌리티 실현

by Hordon Kim -

주행 보조 시스템(ADAS)의 세계적 선도기업인 Valeo가 2024년에 시장에서 첫선을 보일 예정인 3세대 스캐닝 LiDAR를 발표했다. 대폭 향상된 성능을 갖춘 이 신기술은 자율주행 모빌리티를 실현하고 이전에는 볼 수 없었던 수준의 도로 안전성을 제공한다. Valeo의 연구개발 및 전략 담당 수석 부사장 Geoffrey Bouquot는 "Valeo의 3세대 LiDAR는

[신제품] Nexperia의 업계 최저 ±1% 허용 오차 다이오드

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핵심 반도체 전문업체인 Nexperia가 업계 최초로 A- 계열 제너 다이오드를 발표했다. ±1%의 허용 오차만을 가진 BZT52H-A(SOD123F) 및 BZX384-A(SOD323) 제품들은 B(±2%) 및 C(±5%) 제품군에 비해 더 높은 정밀 전압 기준을 제공한다. 모바일, 휴대용/웨어러블, 자동차 및 산업용 애플리케이션의 증가하는 요구 및  심해지는 규제 사항을 모두

Avnet Edge AI Development Kit enables high performance edge processing with low-power on-chip accelerators

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 Avnet’s new development kit enables OEM design engineers to deploy autonomous artificial intelligence (AI) capabilities to embedded applications, thereby reducing or eliminating the dependency on cloud connectivity or processing. The Avnet Edge AI Development Kit features Avnet Embedded’s robust SMARC Computer-on-module (COM), based on

세계 최초의 G-Charge 고속충전소, 태국에 탄생

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GWM이 태국 방콕에서 세계 최초의 G-Charge 고속충전소를 공개했다. 이 고속충전소는 GWM이 신에너지 부문에서 사용자를 대상으로 선보이는 최신 성과다. DC 충전방식을 채택한 GWM의 첫 고속충전소인 G-Charge 고속충전소는 여섯 개의 연결기를 제공한다. 이 연결기에는 세 개의 DC 충전 유닛이 장착돼 있고, 각 유닛에는 두 개의 CCS 타입 2 커넥터가 설치돼 있다. 이는 이곳 고속충전소에서 여섯 명의 사용자가 동시에 충전할 수 있음을 의미한다. 그뿐만 아니라, G-Charge 고속충전소는 충분한 공간과 에너지도 확보했다. 최대 충전 전력은 160kW이며, 24시간 충전 서비스를 제공한다. 이 충전소는 매우 사용자 친화적인 충전 안내 기능을 제공한다. 사용자는 GWM 앱을 통해 충전소 위치를 빨리 찾을 수 있다. 또한, 충전 시간을 예약하고 비용을 결제하면, 충전을 시작할 수 있다. 따라서 사용자는 시간 절약뿐만 아니라 여행 계획도 만족시킬 수 있다. 이는 매우 지능적인 경험이 될 것이다. ORA GOOD CAT 사용자는 G-Charge 고속충전소에서 무료 충전 서비스를 받을 수 있다. ORA GOOD CAT의 400 TECH와 400

[신제품] RECOM의 고효율 1/32 브릭 DC/DC 레귤레이터

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RECOM이 가성비 높은 4.5A 및 8A 벅 컨버터를 제품군에 추가했다. 이 제품들은 각각 4.5A 및 8A 출력 등급을 가진 RPMA-4.5 및 RPMA-8.0의 스루홀, 1/32 브릭 풋프린트, 비절연 DC/DC 레귤레이터이다. 입력 전압 범위는 9-53V이며 트리밍이 가능하고 각각 5-30V(RPMA-4.5) 또는 3.3-16.5V(RPMA-8.0)의 완전히 레귤레이션된 출력이 공급된다.

Transphorm’s SuperGaN Gen IV multi-kilowatt class power FET earns automotive qualification

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Transphorm announced that its flagship SuperGaN® Gen IV 35 milliohm device has successfully completed the Automotive Electronics Council’s AEC-Q101 stress tests for automotive-grade discrete semiconductors. This achievement marks the Company’s third automotive-qualified product line. As with its Gen III predecessor, the Gen IV TP65H035G4WSQA