접합 전계 효과 트랜지스터 (JFET)의 바른 이해

접합 전계 효과 트랜지스터 (JFET)는 수십 년 동안 저잡음, 고임피던스, 정밀 아날로그 회로의 필수 부품으로 사용되어 왔다. 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)가 작동을 위해 베이스 전류를 필요로 하는 반면, JFET는 공핍 모드 전도 채널을 통해 전류를 조절하는 전압 제어 소자로 구별된다. JFET는 높은 입력

AI 기반 머신 비전용 클라우드 플랫폼

산업용 머신 비전 분야 전문기업인 코그넥스가 클라우드 기반 플랫폼 원비전(OneVision™)을 내놓는다. 이 플랫폼은 제조업체가 AI 기반비전애플리케이션을구축, 학습, 확장하는 방식을 혁신할 것으로기대된다. 칼 거스트 (Carl Gerst) 코그넥스 비전 및 ID 제품 총괄 부사장은 "One Vision 은 코그넥스가 지난 10 년간 산업용 AI 혁신에 매진한 결과물"이라며 "첨단 AI 기술과 뛰어난 고객 경험을 결합해 고객에게 새로운 가능성을 지속적으로 제시하고 있다"고 설명했다. 이 플랫폼은 애플리케이션 개발 전 과정을 간소화해 고객이 더 빠르게 대응하고 효율적으로 확장하며 자동화 투자 가치를 극대화할 것으로 보인다.  글로벌 제조 현장의 니즈에 맞춰 설계된 원비전은  AI 기반 머신 비전의 대규모 도입을 가로막는 주요 과제를 해결했다 . 긴  개발 과정과 높은 학습 난이도: 직관적인인터페이스와단계별워크플로를통해기술숙련도에관계없이누구나설정시간을수개월에서수분으로줄일수있다. 고비용의  인프라 투자: 클라우드기반서비스는추가하드웨어가필요없도록하여초기비용을절감하고투자수익률(ROI)을극대화한다. 통합  데이터부족과 분산된 운영: 통합플랫폼은도구, 데이터, 워크플로를한곳에모아협업을간소화하고, 공유작업을효율적으로활용하며, 여러장치, 생산라인, 현장에배포를빠르게진행할수있게한다. 사이트  간 성능 불일치 : 중앙집중식개발과현장맞춤형설정을결합해표준화를유지하면서도사이트별요구사항에유연하게대응할수있다. 원비전은 현재 인 - 사이트 (In-Sight®) 3800 및 8900 비전 시스템에서 이용이 가능하다. 코그넥스는 2026 년 초 다른 제품에서도 원비전을 사용할 수 있도록 출시할 예정이다 .

AI 지원 기기용 베리실리콘의 초저에너지 NPU

베리실리콘이 초저에너지 및 고성능 신경망 처리 장치(NPU) IP가 이제 40TOPS를 넘는 AI 컴퓨팅 성능으로 대규모 언어 모델(LLM)의 온디바이스 추론을 지원한다고 발표했다. 이 에너지 효율적인 NPU 아키텍처는 모바일 플랫폼에서 생성형 AI 기능에 대한 증가하는 수요를 충족하도록 특별히 설계되었다. 이 아키텍처는 AI PC와 기타

다중채널 리튬 이온 배터리 테스트 시스템

노트북 컴퓨터, 휴대폰, 휴대용 무선 단말기, 하이브리드 전기 자동차/순수 전기 자동차(HEV/EV) 등 저전력 및 고전력 응용 분야 모두에서 리튬 이온(Li-ion) 배터리에 대한 수요가 높아지고 있다. 이에 따라 리튬 이온 배터리는 정확하고 신뢰할 수 있는 테스트 시스템을 필요로 한다. 아래 그림은 개방 회로 전압(OCV)이

엣지 AI 애플리케이션을 위한 고밀도 전력 모듈

마이크로칩 테크놀로지의 MCPF1412는 16V VIN 벅 컨버터를 탑재하고 I²C 및 PMBus® 인터페이스 를 지원하는 고효율 완전 통합형 12A 부하점 전력 모듈이다. 이 전력 모듈은 탁월한 성능과 신뢰성을 제공하도록 설계되어 효율적인 전력 변환과 에너지 손실 감소를 보장한다. 5.8mm x 4.9mm x 1.6mm의 컴팩트한 폼팩터와

IoT용 eNVM 기반 SoC 개발 플랫폼 나왔다

ASIC 설계 서비스 및 IP 제공업체인 페러데이 테크놀로지(Faraday Technology Corporation)가 고성능 IoT 및 MCU 애플리케이션 가속화를 위해 설계된 최신 플래시키트(FlashKit™) 개발 플랫폼인 ‘FlashKit™-22RRAM’을 출시했다. UMC의 22ULP 공정에 기반한 FlashKit™-22RRAM은 임베디드 저항변화 메모리(Resistive RAM, RRAM 또는 ReRAM) 기술과 풍부한 IP 에코시스템 및 개발

고출력 자동차를 위한 D모드 GaN 트랜지스터

자동차 산업이 내연 기관(ICE)에서 완전 전기의 미래로 이동함에 따라 자동차 업체들의 질화갈륨(GaN) 반도체 채택이 늘어나고 있다. 실리콘 FET보다 성능이 훨씬 뛰어나고 실리콘 카바이드보다 저렴한 비용 기반을 제공하는 GaN 트랜지스터는 기존 재료보다 물리적으로 우수하다. 고성능 패키징을 갖춘 매우 안정적인 GaN 트랜지스터에는 D 모드와