AI 지원 기기용 베리실리콘의 초저에너지 NPU

베리실리콘이 초저에너지 및 고성능 신경망 처리 장치(NPU) IP가 이제 40TOPS를 넘는 AI 컴퓨팅 성능으로 대규모 언어 모델(LLM)의 온디바이스 추론을 지원한다고 발표했다. 이 에너지 효율적인 NPU 아키텍처는 모바일 플랫폼에서 생성형 AI 기능에 대한 증가하는 수요를 충족하도록 특별히 설계되었다. 이 아키텍처는 AI PC와 기타

다중채널 리튬 이온 배터리 테스트 시스템

노트북 컴퓨터, 휴대폰, 휴대용 무선 단말기, 하이브리드 전기 자동차/순수 전기 자동차(HEV/EV) 등 저전력 및 고전력 응용 분야 모두에서 리튬 이온(Li-ion) 배터리에 대한 수요가 높아지고 있다. 이에 따라 리튬 이온 배터리는 정확하고 신뢰할 수 있는 테스트 시스템을 필요로 한다. 아래 그림은 개방 회로 전압(OCV)이

엣지 AI 애플리케이션을 위한 고밀도 전력 모듈

마이크로칩 테크놀로지의 MCPF1412는 16V VIN 벅 컨버터를 탑재하고 I²C 및 PMBus® 인터페이스 를 지원하는 고효율 완전 통합형 12A 부하점 전력 모듈이다. 이 전력 모듈은 탁월한 성능과 신뢰성을 제공하도록 설계되어 효율적인 전력 변환과 에너지 손실 감소를 보장한다. 5.8mm x 4.9mm x 1.6mm의 컴팩트한 폼팩터와

IoT용 eNVM 기반 SoC 개발 플랫폼 나왔다

ASIC 설계 서비스 및 IP 제공업체인 페러데이 테크놀로지(Faraday Technology Corporation)가 고성능 IoT 및 MCU 애플리케이션 가속화를 위해 설계된 최신 플래시키트(FlashKit™) 개발 플랫폼인 ‘FlashKit™-22RRAM’을 출시했다. UMC의 22ULP 공정에 기반한 FlashKit™-22RRAM은 임베디드 저항변화 메모리(Resistive RAM, RRAM 또는 ReRAM) 기술과 풍부한 IP 에코시스템 및 개발

고출력 자동차를 위한 D모드 GaN 트랜지스터

자동차 산업이 내연 기관(ICE)에서 완전 전기의 미래로 이동함에 따라 자동차 업체들의 질화갈륨(GaN) 반도체 채택이 늘어나고 있다. 실리콘 FET보다 성능이 훨씬 뛰어나고 실리콘 카바이드보다 저렴한 비용 기반을 제공하는 GaN 트랜지스터는 기존 재료보다 물리적으로 우수하다. 고성능 패키징을 갖춘 매우 안정적인 GaN 트랜지스터에는 D 모드와

Melexis, 원가 절감형 위치 센서로 산업용 컨트롤러의 기능 강화해

Melexis가 산업, 건설, 농업, 의료 분야에서 조이스틱 및 Human-Machine Interface(HMI)에 적합한 SPI 통신 기능을 갖춘 내장형 위치 센서인 MLX90427의 적용 분야를 확대하고 있다. 이 제품은 경제적인 설계와 온칩 DSP를 통해 뛰어난 이점을 제공하며, 통합된 외부자계 내성(SFI) 기능으로 견고하고 안전한 성능을 보장한다. MLX90427은 조이스틱,

로옴의 2kV SiC MOSFET를 탑재한 파워 모듈, SMA의 태양광 시스템에 채용돼

태양광 발전 및 축전 시스템 기술의 전문 기업인 SMA 솔라 테크놀로지 (이하, SMA)의 신형 태양광 시스템 'Sunny Central FLEX'에 로옴의 최신 2kV SiC MOSFET를 탑재한 세미크론 댄포스의 파워 모듈이 채용되었다. 'Sunny Central FLEX'는 대규모 태양광 발전 설비, 축전 시스템, 차세대 기술용으로 설계된