TI의 GaN 기술, 치코니 파워의 차세대 랩톱 전원 어댑터에 채택

전원 공급 솔루션 기업인 치코니 파워(Chicony Power)가 최신 65W 랩톱 전원 어댑터 Le Petit에 TI의 통합 질화갈륨(GaN) 기술을 채택했다. TI의 하프 브리지 GaN FET에 게이트 드라이버를 통합한 LMG2610을 채택하고, TI와 치코니 파워가 협력하여 전원 어댑터를 설계함으로써 크기를 50% 축소하고 효율을 최대 94%로 높였다. 치코니 파워는 전자기기 디자인의 전원 변환 효율을 높이기 위해서 노력하고 있으며, IC 기업들과 긴밀하게 협력하여 시장의 요구사항을 충족하는 솔루션을 제공하고 있다. 자사의 최신 Le Petit 랩톱 어댑터를 설계하기 위해 치코니 파워는 고전압 디자인과 통합 GaN 기술의 전문성을 축적해온 TI와 협력했다. TI의 LMG2610은 UCC28782 능동 클램프 플라이백(ACF) 컨트롤러와 짝을 이뤄 75W 미만의 AC/DC 디자인용으로 사용하기 쉬우면서 전력 효율과 밀도가 높은 솔루션을 제공한다.  전원 변환 효율 향상 소비자들은 갈수록 더 작고 가벼운 전자기기를 원하는 동시에 에너지 사용 공간은 줄이고 싶어한다. 이러한 랩톱 전원 어댑터 시장의 요구를 충족하기 위해, 엔지니어들은 더 작은 공간에서 더 많은 양의 전력이 충전되면서 동시에 전력 손실을 최소화하는 효율적인 어댑터를 개발해야 하는 과제에 직면하고 있다.  단일 칩에 상하부 스위치, 게이트 드라이버 IC, 레벨 시프터, 부트스트랩 회로를 통합한 TI의 LMG2610 GaN FET과 치코니 파워의 3D 구조, 부품 소형화, 방열 시스템, 전자파 간섭 (EMI) 억제 설계에서의 전문성을 결합하여 전원 어댑터의 크기를 축소하고 원자재 사용은 40%까지 줄였다. Le Petit 전원 어댑터의 크기는 49cm3 로, 일반적인 얼음 조각보다 약간 큰 컴팩트한 수준이며, 기존의 실리콘 소재를 사용한 전원 어댑터가 제공하는 89%의 전원 변환 효율에 비해 최대 94%까지 달성할 수 있다. 루크 리(Luke Lee) TI 아시아 총괄 부사장이자 대만, 한국, 남아시아 지역 사장은 “치코니 파워와의 협력은 TI 제품이 더 작고 에너지 효율적이면서 신뢰할 수 있는 전자기기를 설계하도록 지원하는 방식에 대해 잘 보여주는 사례”라며, “TI의 고도로 통합된 GaN 기술은 전원 어댑터에 향상된 열 성능과 전원 효율을 달성하고 더 적은 부품을 사용해서 전력 밀도를 높일 수 있다”고 말했다. 윈슨 황(Winson Huang) 치코니 파워 최고구매책임자는 “치코니는 기업의 사회적 책임을 잘 인식하고 있으며 수년 전부터 RBA(Responsible Business Alliance, 책임감 있는 비즈니스 연합)의 행동 강령을 이행하고 있다. 차세대 전원 어댑터를 개발하기 위한 TI와의 협력은 기존 65W 어댑터 대비 더욱 가볍고 편리할 뿐 아니라 양사의 강점을 결합하여 에너지 효율을 높일 수 있다”고 말했다. 열과 EMI 과제 해결 TI의 통합 GaN 기술이 전원 효율과 크기에 있어서 이점을 제공함과 동시에 UCC28780 및 UCC28782 플라이백 컨트롤러는 고주파 제로 전압 스위칭(ZVS)을 지원한다. 여기에 치코니 파워의 전원 설계 전문성까지 더함으로써 경량 전원 공급 디바이스에 고주파 에너지로 인해 흔히 직면하게 되는 온도 상승이나 EMI 증가 문제를 극복했다. 또한, 온도와 성능 제어 기능을 유지하면서 효과적으로 전원 어댑터 크기를 축소했다.

인피니언, 단락을 방지하여 시스템을 보호하는 EiceDRIVER™ F3 강화 버전 제품군 출시

첨단 전력 전자 공학에서는 최대의 시스템 효율을 달성하여 전력 밀도를 지속적으로 높이는 것이 매우 중요하다. 하지만 단락(short-circuit) 이벤트가 발생하면 시스템이 위험해진다. 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 자사의 절연형 EiceDRIVER™ 강화 버전(Enhanced) 게이트 드라이버 포트폴리오에 단락을 방지하여 시스템을 보호하는 F3 강화 버전(1ED332x) 제품군을 추가한다고

맥심, 설계 간소화·배터리 수명 연장하는 트라이나믹 MOSFET 게이트 드라이버 출시

Maxim

중복기사입니다 맥심 인터그레이티드 코리아(www.maximintegrated.co.kr)가 브러시리스 직류(DC) 모터 드라이브 설계를 간소화하고 배터리 수명을 최대화하는 트라이나믹의 완전 통합형 TMC6140-LA 3상 MOSFET 게이트 드라이버를 출시했다. TMC6140-LA는 폭넓은 전압 범위와 성능이 최적화된 제품으로 서보 모터와 브러시리스 모터, 영구자석 동기모터에 적합하다. 이 3상 게이트 드라이버에는 충전 펌프를 추가하기 위한

인피니언, 3상 게이트 드라이버를 통합한 iMOTION™ SmartDriver IMD110 시리즈 출시

인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 IMD110 SmartDriver 시리즈를 출시한다고 밝혔다. 새로운 스마트 모터 컨트롤러 제품군은 컴팩트한 패키지에 iMOTION™ MCE (Motion Control Engine, 모션 제어 엔진)와 3상 게이트 드라이버를 통합했다. 이 게이트 드라이버는 고유의 SOI (silicon-on-insulator) 기술을 기반으로 하며, 가변속 드라이브의 다양한 MOSFET과 IGBT를

인피니언, 최상의 신뢰성과 성능을 제공하는 CoolSiC™ MOSFET 650V 제품군 출시

인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 자사의 실리콘 카바이드 (SiC) 제품 포트폴리오에 650V 제품을 추가한다고 밝혔다. 새롭게 출시되는 CoolSiC™ MOSFET은 점점 증가하는 에너지 효율, 전력 밀도, 견고성에 대한 요구를 충족한다. 적합한 애플리케이션은 서버, 텔레콤, 산업용 SMPS, 태양광 에너지 시스템, 에너지 저장 및 배터리

사용이 쉬운 파워 인테그레이션스의 SCALE-2 플러그 앤 플레이 게이트 드라이버, 프레스-팩 IGBT 모듈에 적합

유연하고 견고하고 안정적인 4500V 정격 모듈 중전압 및 고전압 인버터 애플리케이션을 위한 게이트 드라이버 기술의 선도 업체인 파워 인테그레이션스가 Toshiba, Westcode, ABB 등 제조업체의 새로운 4500V 프레스-팩 IGBT(PPI) 모듈용으로 특별히 개발된 1SP0351 SCALE-2™ 단일 채널, +15/-10V, 플러그 앤 플레이 게이트 드라이버를 발표했다. 널리 사용되는

아나로그 디바이스, 고속 60V 보호 하이사이드 N채널 MOSFET 드라이버 출시

최근 리니어 테크놀로지를 인수한 아나로그 디바이스는 최대 60V 공급 전압까지 동작하는 고속, 하이사이드 N채널 MOSFET 드라이버 신제품 LTC7003을 출시했다고 밝혔다. 이 제품의 내부 차지 펌프는 외부 N 채널 MOSFET 스위치를 완벽하게 구동하여 항상 온(ON) 상태를 유지할 수 있도록 한다. LTC7003의 강력한 1Ω

마우서, 파나소닉 GaN 파워 솔루션 판매 개시

최신 반도체 및 전자부품의 세계적 유통업체인 마우서 일렉트로닉스(Mouser Electronics)가 파나소닉의 질화 갈륨 (GaN) 솔루션의 판매에 들어간다. 최신 파워 서플라이 설계가 필요로 하는 효율성과 전력 밀도에 부합하기 위해, 많은 설계 엔지니어들이 GaN 기술과 같이 다양한 산업용 및 가전 파워-스위칭 시스템에서 시스템의 크기를 줄이고 에너지를

인피니언, 하이엔드 산업용 세이프티 게이트 드라이버 출시

최대 1200V의 까다로운 산업용 애플리케이션을 위한 슬루율(slew rate) 제어 EiceDRIVER™ 출시 인피니언 테크놀로지스는 산업 부문 하이엔드 시스템용으로 개발된 EiceDRIVER 제품군의 단일 채널 게이트 드라이버를 출시했다고 밝혔다. 1EDS20I12SV EiceDRIVER™ Safe 드라이버 부품은 IGBT에서 실시간으로 조정 가능한 최초 슬루율 제어(SRC)를 탑재한다. 1EDS-SRC EiceDRIVER Safe의 안전한 전기