Tag: FET

트랜스폼, 4세대 GaN 플랫폼 SuperGaN 전력 FET 발표

by PEMK 매거진 -

트랜스폼(Transphorm Inc.)이 4세대 GaN 플랫폼을 발표했다. 고전압 질화갈륨(GaN) 전력반도체를 선도적으로 설계하고 제조하는 트랜스폼의 최신 기술은 자사의 이전 세대 GaN 제품에 비해 성능, 설계성 및 가격 면에서 눈에 띄게 향상됐다. 이와 관련, 트랜스폼은 또 4세대 및 미래 세대 플랫폼을 SuperGaN™기술이라고 명명했다. 첫 번째 JEDEC인증 받은

도시바, 고속 팬용 3상 브러시리스 프리-드라이버 IC 출시

by Hordon Kim -

도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 (이하: 도시바)가 홀 센서 없이 작동하는 3상 브러시리스 모터 제어용 프리-드라이버 IC ‘TC78B009FTG’를 발표했다. 서버, 송풍기, 무선 진공청소기, 로봇 진공청소기 등에 사용하는 고속 팬을 포함한 다양한 애플리케이션에 적합한 제품이다. 최근 서버의 용량과 성능이 발전하면서 장비에서 발생하는 과도한 열을

트랜스폼 GaN, AES의 대형 여객기용 최신 전원 공급장치에 적용

by PEMK 매거진 -

국제 항공 전자 장치 공급사, GaN 기반의 전력 밀도 증가로 경쟁 제품 능가 트랜스폼(Transphorm Inc.)의 고객사인 AES항공전기/전자시스템(AES Aircraft Elektro/Elektronik System GmbH)이 최초로 650V GaN 기반 전원 공급 소자를 출시했다고 트랜스폼이 발표했다. 트랜스폼은 최상의 안정성을 갖추고 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 및 AEC-Q101 인증을 최초로 획득한 고전압 질화갈륨(GaN) 전력

98% 이상의 효율을 달성한 eGaN FET 기반 소형 48V ~ 6V, 900W LLC 공진형 컨버터

by PEMK 매거진 -

컴퓨팅 및 통신 시장이 빠르게 확장하면서 중간 버스 컨버터를 위한 보다 소형의 효율적이고, 높은 전력밀도의 솔루션이 요구되고 있다. 이 중 LLC 공진형 컨버터는 높은 전력밀도와 고효율을 제공하는 솔루션으로 주목받고 있다. 매우 낮은 온-저항과 기생 커패시턴스를 가지고 있는 eGaN FET는 Si MOSFET을 사용할

TI, 최대 10kW 애플리케이션을 지원 600V GaN FET 포트폴리오 출시

by PEMK 매거진 -
TI의 고전압 GaN FET

고전압 GaN FET로 산업용 및 통신 애플리케이션에서 전력 밀도 두 배 높여 텍사스인스트루먼트(이하, TI)는 최대 10kW 애플리케이션을 지원할 수 있는 즉시 사용 가능한 600V 질화갈륨(GaN), 50mΩ 및 70mΩ 전력단 포트폴리오를 새롭게 출시했다고 밝혔다. 개발자는 LMG341x 제품군을 사용하여 AC/DC 전원 공급 장치, 로봇, 재생

인피니언, OptiMOS Linear FET 출시

by PEMK 매거진 -

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 OptiMOS™ Linear FET 시리즈를 출시했다. 새로운 제품군은 trench MOSFET의 탁월한 온상태 저항(RDS(on))과 planar MOSFET의 넓은 안전 동작 영역(SOA, Safe Operating Area)을 결합하여, RDS(on)과 선형 모드 기능 사이의 트레이드오프를 해결한다. OptiMOS Linear FET는 인핸스먼트 방식 MOSFET의 포화 영역에서 동작할 수