와이드 밴드갭 (WBG) 소재인 GaN (갈륨 나이트라이드) 기반의 전력 스위치는 뛰어난 효율과 높은 스위칭 주파수를 가능하게 하여 파워 일렉트로닉스의 새 시대를 열 것으로 기대된다. 인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 새로운 CoolGaN™ IPS (integrated power stage) 제품군을 출시하여 자사의 WBG 전력 디바이스 포트폴리오를 강화한다고
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Silanna Semiconductor and Transphorm develop best-in-class 65W USB-C PD GaN adapter reference design
GaN power IC giant Navitas goes public with $1.04 billion value
이제는 그래핀 배터리로 35분만에 80%의 모바일 기기를 고속 충전하는 시대
부품 수, 폼 팩터, 시스템 비용을 모두 감소시키는 넥스페리아의 전력 질화 갈륨 (GaN) 솔루션
Odyssey Semiconductor Technologies raises $5 million to further develop and commercialize GaN power devices for electric vehicles and solar energy
Odyssey Semiconductor Technologies has raised $5 million (1.25 million shares at $4.00 per share) in a common stock private placement to further fund the development and production of high-voltage vertically-conducting GaN power-switching devices. GP Nurmenkari, as consulted by Intuitive Venture Partners, acted
