Tag: GaN

파워 인테그레이션스, 모바일 충전기용 플라이백 스위처 출시

by Hordon Kim -

에너지 효율적인 전력 변환용 고전압 IC 업계를 선도하는 파워 인테그레이션스가 고주파 ZVS(zero voltage switching, 영전압 스위칭) 플라이백 스위처 IC 제품군 ‘InnoSwitch™4-CZ’를 발표했다. InnoSwitch4-CZ 기기는 파워 인테그레이션스의 PowiGaN™ 기술을 활용한 750V 1차 스위치와 새로운 고주파 액티브 클램프 플라이백 컨트롤러를 통합해 휴대폰, 태블릿, 랩탑용 울트라

인피니언, 30W~500W 전력대 애플리케이션을 위한 CoolGaN™ IPS 제품군 출시

by PEMK 매거진 -

와이드 밴드갭 (WBG) 소재인 GaN (갈륨 나이트라이드) 기반의 전력 스위치는 뛰어난 효율과 높은 스위칭 주파수를 가능하게 하여 파워 일렉트로닉스의 새 시대를 열 것으로 기대된다. 인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 새로운 CoolGaN™ IPS (integrated power stage) 제품군을 출시하여 자사의 WBG 전력 디바이스 포트폴리오를 강화한다고

이제는 그래핀 배터리로 35분만에 80%의 모바일 기기를 고속 충전하는 시대

by Hordon Kim -

킥스타터 및 인디고를 통해 누적 펀딩 60억여 원을 달성한 바 있는 호주의 보조배터리 업체인 Chargeasap이 한국 와디즈를 통해 플래시 2.0 초고속 대용량 보조배터리를 출시했다. 이번에 출시된 플래시 2.0은 비행기 반입이 가능한 2만mAh(74Wh)급 대용량 보조배터리이다. 플래시 2.0은 테슬라 전기차에 사용되는 파나소닉 그래핀 배터리 셀을

부품 수, 폼 팩터, 시스템 비용을 모두 감소시키는 넥스페리아의 전력 질화 갈륨 (GaN) 솔루션

by PEMK 매거진 -

핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아 (지사장: 김영택)는 오늘 기존의 기술 및 경쟁 회사 제품 대비 훨씬 향상된 성능을 제공하는 자사의 2 세대 650V 전원 질화 갈륨 (GaN) FET 소자 제품군의 대량 공급을 개시한다고 발표했다. RDS(on) 성능을 35mΩ(일반)까지 낮춘 이 전력 질화 갈륨 FET는

Odyssey Semiconductor Technologies raises $5 million to further develop and commercialize GaN power devices for electric vehicles and solar energy

by Hordon Kim -

Odyssey Semiconductor Technologies has raised $5 million (1.25 million shares at $4.00 per share) in a common stock private placement to further fund the development and production of high-voltage vertically-conducting GaN power-switching devices. GP Nurmenkari, as consulted by Intuitive Venture Partners, acted