MOSFET – 페이지 11 – 파워일렉트로닉스(PEMK) 매거진

Transphorm Introduces SuperGaN™ Power FETs with Launch of Gen IV GaN Platform

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by Hordon Kim - 2020-04-17

Newest High Voltage GaN Devices Bring Increased Performance and Easier Designability at Reduced Cost Transphorm Inc.— the leader in the design and manufacturing of the highest reliability and first JEDEC- and AEC-Q101 qualified high voltage gallium nitride (GaN) power semiconductors — announced availability

인피니언, 마일드 하이브리드카를 위한 OptiMOS™ 5 80V 및 100V MOSFET 포트폴리오 확장

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by PEMK 매거진 - 2020-03-26

인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 자동차 48V 시스템이 빠르게 성장할 것으로 예상하고 적합한 전력 디바이스 포트폴리오를 확장하고 있다. 다양한 48V 애플리케이션의 요구를 충족하도록 OptiMOS™ 5 기술 기반의 80V 및 100V MOSFET을 위한 새로운 패키지를 출시한다. 인피니언은 수요 증가를 예상하여 새로운 생산 공정을

파워 인테그레이션스의 SiC MOSFET용 SCALE-iDriver, AEC-Q100 자동차 인증 획득

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by PEMK 매거진 - 2020-03-242024-04-16

액티브 클램핑과 2µs 미만의 회로 단락 턴오프 시간을 제공하는 견고한 소형 절연 SiC MOSFET 드라이버 중고압 인버터 애플리케이션용 게이트 드라이버 기술의 전문 업체인 파워 인테그레이션스가 자사의 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET용 고효율 단일 채널 게이트 드라이버인 SIC118xKQ SCALE-iDriver™에 대해 AEC-Q100 자동차 인증을 받았다. 이 소자는 일반적으로

인피니언, 동급 최상의 가격대 성능비를 제공하는 600V CoolMOS™ S7 수퍼정션 MOSFET 출시

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by PEMK 매거진 - 2020-03-18

인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 최상의 효율과 품질 요구를 충족하는 솔루션을 제공하고 있다. 새롭게 출시된 600V CoolMOS™ S7 제품군은 MOSFET을 저 주파수로 스위칭하는 애플리케이션에서 전력 밀도와 에너지 효율의 새로운 기준을 제시한다. CoolMOS S7 제품군은 전도 성능 최적화, 향상된 열 저항 및 높은 펄스

인피니언, 동급 최상의 가격대 성능비 제공하는 600V CoolMOS S7 수퍼정션 MOSFET 출시

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by PEMK 매거진 - 2020-03-16

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 최상의 효율과 품질 요구를 충족하는 솔루션을 제공하고 있다. 새롭게 출시된 600V CoolMOS S7 제품군은 MOSFET을 저 주파수로 스위칭하는 애플리케이션에서 전력 밀도와 에너지 효율의 새로운 기준을 제시한다. CoolMOS S7 제품군은 전도 성능 최적화, 향상된 열 저항 및 높은 펄스 전류

파워 인테그레이션스, 강력한 750V GaN 트랜지스터 통합해 InnoSwitch3 IC 범위 확대

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by PEMK 매거진 - 2020-03-16

94% 효율의 파워 서플라이 제조를 가능하게 하는 PowiGaN 기술, 빈번한 브라운 아웃 및 라인 서지 발생지역에 적합 에너지 효율적인 전력 변환용 고전압 집적 회로 분야의 선도업체 파워 인테그레이션스(Power Integrations)가 InnoSwitch™3 오프라인 CV/CC 플라이백 스위처 IC 확장 제품군을 발표했다. INN3x78C 디바이스 신제품은 더 작은 ‘size

MagnaChip’s MOSFET enhances protection for wireless earphones while recharging

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by PEMK 매거진 - 2020-03-12

MagnaChip Semiconductor is entering the wireless earphone market with the introduction of a new MOSFET for wireless earphones for preventing the battery from overcharging. This MOSFET is designed to control excessive current flowing into wireless earphones while recharging the battery in order

Power Integrations Expands Range of InnoSwitch3 ICs Incorporating Robust 750 V GaN Transistors

English News

by PEMK 매거진 - 2020-03-11

PowiGaN technology permits manufacture of 94% efficient power supplies suitable for regions with frequent brown-outs and line surges Power Integrations (Nasdaq: POWI), the leader in high-voltage integrated circuits for energy-efficient power conversion, today announced an expansion of its InnoSwitch™3 families of offline CV/CC

인피니언, 최상의 신뢰성과 성능을 제공하는 CoolSiC™ MOSFET 650V 제품군 출시

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by PEMK 매거진 - 2020-03-09

인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 자사의 실리콘 카바이드 (SiC) 제품 포트폴리오에 650V 제품을 추가한다고 밝혔다. 새롭게 출시되는 CoolSiC™ MOSFET은 점점 증가하는 에너지 효율, 전력 밀도, 견고성에 대한 요구를 충족한다. 적합한 애플리케이션은 서버, 텔레콤, 산업용 SMPS, 태양광 에너지 시스템, 에너지 저장 및 배터리

도시바, 차량용 장비의 전력 손실 최소화해주는 00V N채널 파워 MOSFET 신제품 출시

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by PEMK 매거진 - 2020-03-04

도시바 일렉트로닉 디바이스가 100V N채널 파워 MOSFET인 XK1R9F10QB를 출시했다. 이 제품은 모터를 구동하고 전력공급을 전환하는 로드 스위치(load switch)와 같은 차량용 48V 장비 애플리케이션에 적합하며 이미 지난 달 말부터 출하가 시작되었다. XK1R9F10QB는 도시바의 트렌치(trench) 구조를 채택하고 도시바의 최신세대 공정으로 제작한 ‘U-MOS X-H’ MOSFET