트랜스폼(Transphorm Inc.)이 4세대 GaN 플랫폼을 발표했다. 고전압 질화갈륨(GaN) 전력반도체를 선도적으로 설계하고 제조하는 트랜스폼의 최신 기술은 자사의 이전 세대 GaN 제품에 비해 성능, 설계성 및 가격 면에서 눈에 띄게 향상됐다. 이와 관련, 트랜스폼은 또 4세대 및 미래 세대 플랫폼을 SuperGaN™기술이라고 명명했다. 첫 번째 JEDEC인증 받은
Tag: MOSFET
Transphorm Introduces SuperGaN™ Power FETs with Launch of Gen IV GaN Platform
Newest High Voltage GaN Devices Bring Increased Performance and Easier Designability at Reduced Cost Transphorm Inc.— the leader in the design and manufacturing of the highest reliability and first JEDEC- and AEC-Q101 qualified high voltage gallium nitride (GaN) power semiconductors — announced availability
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인피니언, 동급 최상의 가격대 성능비를 제공하는 600V CoolMOS™ S7 수퍼정션 MOSFET 출시
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파워 인테그레이션스, 강력한 750V GaN 트랜지스터 통합해 InnoSwitch3 IC 범위 확대
MagnaChip’s MOSFET enhances protection for wireless earphones while recharging
Power Integrations Expands Range of InnoSwitch3 ICs Incorporating Robust 750 V GaN Transistors
PowiGaN technology permits manufacture of 94% efficient power supplies suitable for regions with frequent brown-outs and line surges Power Integrations (Nasdaq: POWI), the leader in high-voltage integrated circuits for energy-efficient power conversion, today announced an expansion of its InnoSwitch™3 families of offline CV/CC