필수 반도체 전문가인 Nexperia가 MOSFET 소자의 향상된 전열 기능 모델을 발표했다. 반도체 제조업체들은 일반적으로 MOSFET에 대한 시뮬레이션 모델을 제공하지만 이는 특정한 동작 온도에서 모델링된 소자의 일부 매개 변수만 포함한다. 이에 비해 넥스페리아의 새로운 고급 모델은 -55°C에서 175°C까지 이르는 전체 동작 온도 범위에서 모든 소자 파라미터의 열 상호 의존성을 포함한다. 이러한
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[신제품] 인버터화가 진행되는 백색가전의 모터 구동에 최적인 600V 내압 슈퍼 정션 MOSFET
[신제품] 온상태 저항이 가장 낮은 MOSFET
인피니언, 단락을 방지하여 시스템을 보호하는 EiceDRIVER™ F3 강화 버전 제품군 출시
Transphorm demonstrates 99% efficiency power switching with 1200 V GaN power transistor at ISPSD 2022
Transphorm will demonstrate leading-edge R&D results from its 1200-volt GaN device at the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), a prestigious IEEE conference in the power semiconductor industry. The 1200V GaN device delivers greater than 99 percent efficiency and performs well against a
[New] eFuse series for sub-power rails in server applications
Alpha and Omega Semiconductor (AOS) released its initial eFuse product for sub-power rails in server applications. The AOZ18101DI series are 5A eFuse in a compact 3mm x 3mm DFN package. The new products use AOS’s advanced co-packaging technology, combining a high-performance IC with protection features and
Alpha and Omega Semiconductor unveils 80V power MOSFET with Shield Gate technology
로옴, FA 기기 및 백색가전용 730V 내압 MOSFET 내장 AC/DC 컨버터 IC 개발
A*STAR and Soitec jointly develop next-generation SiC semiconductors
The Institute of Microelectronics (IME) at the Agency for Science, Technology and Research (A*STAR) and Soitec have announced a research collaboration to develop next-generation silicon carbide (SiC) semiconductor devices to power electric vehicles and advanced high-voltage electronic devices. Under the collaboration, the parties