GeneSiC Semiconductor의 RDS를 지원하는 자동차 및 산업 응용 분야에 효율성과 시스템 안정성을 제공하는 SiC MOSFET이 인기를 얻고 있다. GeneSiC Semiconductor의 3 세대 실리콘 카바이드 MOSFET이 바로 해당 제품이다. 1200V G3R ™ SiC MOSFET은 20 mΩ ~ 350 mΩ의 전례없는 성능을 제공하며 견고함과 높은 효율성을
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인피니언, 3상 게이트 드라이버를 통합한 iMOTION™ SmartDriver IMD110 시리즈 출시
온세미컨덕터 650V SiC MOSFET 공개.. 까다로운 애플리케이션의 전력 밀도 향상
미 법원, 로옴 반도체 USA의 맥스파워 반도체에 대한 특허 불침해 확인 판결에 대한 소송 기각
[Design Focus] PowiGaN-based switches extending power range
PowiGaN™ is Power Integrations’ internally developed gallium nitride (GaN) technology. PowiGaN switches replace the traditional silicon transistors on the primary side of PI’s highly integrated offline flyback switcher ICs, reducing switching losses and enabling chargers, adapters and open frame power supplies that
트랜스폼의 전기자동차용 SuperGaN FET, 패키징 상태에서 세계 최저 온-저항
온세미컨덕터, SiC 전력모듈로 델타 태양광 PV 인버터 지원
Rugged AEC-Q101 MOSFETs from Nexperia offer guaranteed repetitive avalanche performance tested to one billion cycles
Dual-MOSFET devices simplify automotive solenoid control circuits by saving space, reducing component count and improving reliability. Nexperia, the expert in essential semiconductors, today launched a new AEC-Q101-qualified Repetitive Avalanche Application Specific FET (ASFET) portfolio focused on powertrain applications. The technology has been tested